主要成果
Samsung Electronicsは、Nvidiaが開発する次世代のカスタム高帯域幅メモリ（HBM）において、その基盤となるベースダイの製造にTSMCの3ナノメートル（3nm）プロセスを採用することを決定しました。ソウル経済日報の報道によると、SamsungがHBMの製造工程において台湾の受託製造企業であるTSMCと連携するのは、今回が初めてとなります。
技術・詳細
今回の決定は、Nvidiaが提示した仕様に基づいたものです。Nvidiaは、Samsung、SK Hynix、Micron Technologyのメモリサプライヤー各社に対し、以下の技術要件を求めています。
- ベースダイ（Base Die）：TSMCの製造プロセスを使用すること。
- コアダイ（Core Die）：第6世代DRAM技術を採用すること。
対象となるのは、本年8月に公開された「NVHBM」です。NVHBMは、Nvidia独自のカスタムメモリコントローラーをベースダイに統合した設計となっており、複数のメモリサプライヤー間で実装を標準化することを目的としています。
背景・業界の文脈
Samsungは社内レビューを経て、Nvidiaの要求を受け入れました。しかし、すべての製品でTSMCに依存するわけではありません。標準的なHBM製品や、Nvidia以外の顧客向けカスタム製品については、引き続き自社内での生産モデルを維持する計画です。メモリメーカーがベースダイの製造を外部のファウンドリに委託することは、設計の標準化と高度な微細化プロセスを確保するための戦略的な選択といえます。
今後の展望
Samsungは、自社ファウンドリによる代替案についても検討を続けています。具体的には、TSMCの生産能力（キャパシティ）を需要が上回った場合に備え、自社ファウンドリでNVHBMのベースダイを製造できるかどうかを評価しているとのことです。これにより、供給リスクの回避と自社技術の活用を両立させる構えです。
毎週の技術動向レポートを無料でお届け
各分野の分析レポートを読む価値があるかどうか一目で判断できるインフォグラフィックをメールで受け取れます。
📢 メールマガジンに無料登録（週刊・技術動向レポート）
ご登録いただくと、Troy-Technical から週刊で技術動向レポート（メールマガジン）をお届けします。
- 取得したメールアドレス・選択分野は配信目的にのみ使用します。
- 第三者へ提供することはありません。
- 配信はいつでも解除できます（各メール下部のリンクから）。
詳しくはプライバシーポリシーをご覧ください。
登録は1分・いつでも解除できます
