主要成果
Intelは、AIおよびハイパフォーマンスコンピューティング（HPC）向けの高帯域幅光インターコネクト需要の増大に合わせ、シリコンフォトニクス能力を拡張しています。2026年のOpen Compute Project（OCP）グローバルサミットにおいて、同社は業界で唯一、300mmのインジウムホスファイド（InP）シリコンフォトニクスを大規模に供給できるハイボリュームファウンドリであると主張しました。この技術は、次世代の近接パッケージ光学（NPO）および共同パッケージ光学（CPO）をサポートすることを目的としています。
技術・詳細
従来のInP基板は、一般的に150mm（6インチ）ウェハに制限されており、実際には3インチや4インチ形式が広く使用されてきました。これは、シリコンベースのCMOS製造で標準となっている300mmとは大きな差があります。InP結晶は脆く、成長速度が遅いことに加え、欠陥制御が困難であるため、ウェハあたりのレーザーチップ出力が制限され、能力拡張の妨げとなっていました。Intelは、InPベースのレーザー技術を自社の300mmシリコンフォトニクス製造プラットフォームに統合することで、生産効率とスケーラビリティの改善を図っています。
背景・業界の文脈
CPOの商用化は業界全体で加速しています。NVIDIAは、TSMCのCompact Universal Photonic Engine（COUPE）技術を用いたSpectrum-X CPOスイッチを一部のパートナーに提供し始めています。BroadcomもCPOポートフォリオを拡大しており、OCP 2026では、スイッチング容量102.4 Tb/s、1チャンネルあたり200 Gbpsを実現する第3世代のTomahawk 6-Davisson CPOスイッチを披露しました。また、TSMCは2026年にCOUPE-on-substrateソリューションの生産を開始する計画で、ボードレベルのプラグ型光学と比較して、電力効率を2倍に高め、レイテンシを10分の1に削減することを目指しています。
中国勢の動きも活発です。Zhongji InnolightはCPO専用生産ラインを構築し、800G CPO光モジュールの小規模生産を開始しました。出荷は2027年に始まり、2028年には普及が進む見通しです。また、Huaweiは2026年9月、大規模なAIトレーニングおよび推論向けにNPOベースのAscend 960スーパーノードを導入しました。
今後の展望
商用化への進展の一方で、テスト工程が量産化の大きなボトルネックとなっています。光アライメント時間は数秒以下まで短縮されましたが、単一の光集積回路（PIC）の完全なテストには依然として100秒以上かかっており、テスト速度とコストが課題となっています。TrendForceは、2027年がCPOテストシステムの統合における重要な年となり、2028年が大規模生産への準備状況を評価する決定的な時期になると予測しています。
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