主要成果：太陽ホールディングス、imecと共同で700nm精密3層RDL形成に成功
太陽ホールディングスは、IEEE ESTC 2026会議において、ベルギーのimecとの共同研究により、12インチウェーハ上で700ナノメートル（nm）の臨界寸法（CD）を持つ3層再配線層（RDL）の形成に成功したと発表しました。この画期的な成果は、先進半導体パッケージングにおける微細配線技術の重要な一歩であり、特に新開発のFPIMシリーズ材料の貢献によって可能となりました。これは、チップ間の接続密度を飛躍的に高め、高性能AIチップやHPC向けパッケージングのさらなる進化を支える基盤技術として注目されます。
技術・プロセス詳細：新材料FPIMシリーズとデュアルダマシンプロセスの重要性
再配線層（RDL）は、チップレット間やチップと外部パッケージ間の電気的接続を提供する多層配線構造であり、その微細化はパッケージング密度と性能向上に不可欠です。太陽ホールディングスが開発したFPIMシリーズ材料は、微細加工性、電気的特性、信頼性において優れており、今回達成された700nmという高精度な3層RDL形成を可能にしました。imecの分析によると、1.6マイクロメートル以下の配線ピッチを実現するためには、デュアルダマシンプロセスが不可欠となります。太陽ホールディングスの新材料は、このデュアルダマシンプロセスとの高い適合性を示しており、次世代の超微細配線技術の実現に向けた鍵となる可能性があります。この技術は、ウェーハレベルの薄膜加工において、歩留まり向上と製造コスト削減に寄与することが期待されます。
背景・業界文脈：AIチップにおけるパッケージングの重要性増大
AIチップの性能向上は、従来の微細化（ムーアの法則）だけでなく、先進パッケージングによるチップレットの統合や高密度接続によっても実現されています。これにより、RDLは、複数のチップレットを効率的かつ高速に接続するための「架け橋」として、その重要性を増しています。特に、パッケージが大型化し、配線層数が増加するにつれて、基板材料と微細加工技術の限界が性能のボトルネックとなりつつあります。太陽ホールディングスの成果は、このボトルネックを解消し、次世代AIアクセラレーターやHBM（高帯域幅メモリ）の進化を支える上で不可欠な技術革新となります。
今後の展望：次世代パッケージング技術の標準化への貢献
700nmという高精度のRDL形成技術は、現在の先進パッケージング技術の限界を押し広げるものであり、将来の標準化されたパッケージングプラットフォームにおいて重要な役割を果たす可能性があります。この技術は、特に高密度インターポーザーやチップレット統合において、より多くの機能と性能を限られたスペースに集積することを可能にします。太陽ホールディングスとimecの共同研究は、半導体後工程における材料とプロセスの革新が、AI時代の計算能力向上にどれほど重要であるかを示しています。今後、このFPIMシリーズ材料とRDL技術が量産に適用されることで、高性能チップの設計自由度と製造効率が大幅に向上することが期待されます。
元記事: https://quantumzeitgeist.com/three-layer-rdl-taiyo-holdings-700/
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