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新技術・技術紹介
imec、High NA EUVリソグラフィ向け22nmピッチの化学増幅レジスト拡張を発表、次世代マイクロチップ製造を加速
imec ベルギー 概要 imecは、High NA EUVリソグラフィにおける化学増幅レジストの拡張を発表しました。これは、22nmピッチのライン構造をシングルパターニングで実現するための重要な進歩であり、より小型で高速、かつ低コストで持続可能なマイクロチップ... -
新技術・技術紹介
imecがNbTiNベースの30nmインターコネクト超伝導回路で世界初の3.8百万接合/cm²密度を達成し次世代HPC/AIへ道を拓く
imec ベルギー 概要 imecは2026年応用超伝導会議(ASC)において、世界初となるNbTiNベースのジョセフソン接合回路と30nm超伝導配線からなる3層金属レベル(3ML)回路を発表しました。この成果により、3.8百万接合/cm²という画期的な回路設計密度を達成し... -
新技術・技術紹介
200mmウェハー上でCMOS互換GFET製造プロセスが最適化、97%のデバイス歩留まりを達成し産業化へ大きく前進
ACS Publications ベルギー 概要 Imecらの研究チームは、200mmウェハー上でCMOS互換グラフェン電界効果トランジスタ(GFET)の製造および分析プロセスを最適化し、産業化に向けた重要な一歩を踏み出しました。この最適化されたプロセスは、97%という高いデ... -
新技術・技術紹介
太陽ホールディングス、imecと共同で12インチウェーハ上に700nm精密3層RDL形成に成功
Quantum Zeitgeist 日本、ベルギー 概要 太陽ホールディングスは、IEEE ESTC 2026会議でimecとの共同研究により、12インチウェーハ上で700ナノメートルの臨界寸法(CD)を持つ3層再配線層(RDL)形成に成功したことを発表しました。この技術は新開発のFPIM... -
新技術・技術紹介
imec、インターポーザーにガラス基板を用いた3D積層パッケージングでブレークスルーを発表、AI/HPC向けに商用化加速
EETimes ベルギー 概要 ベルギーのマイクロエレクトロニクス研究機関imecは、インターポーザーとしてガラス基板を利用した3D積層パッケージング技術における重要なブレークスルーを発表した。ガラス基板は、低誘電損失、優れた熱安定性、微細加工性から、... -
新技術・技術紹介
IMEC、TSMC、Intel、Samsungが2D半導体トランジスタでシリコンの壁を越えムーアの法則を維持へ
Internet Pros アメリカ 概要 シリコントランジスタがスケーリングの限界に達する中、IMEC、TSMC、Intel、Samsungといった主要企業は、次世代チップ向けに原子レベルの薄さを持つ2D半導体へと目を向けています。硫化モリブデン(MoS2)などの2D材料は、数... -
新技術・技術紹介
ASML、TSMC、Imecが2D材料トランジスタでブレークスルー:300mmウェハでの業界対応統合を達成
The cleanroom Portal - Reinraum Online ドイツ 概要 Imecは、ASMLとTSMCとの協力により、IEEE/JSAPシンポジウム2026で、2D材料に基づくn型およびp型FET(電界効果トランジスタ)向けに、堅牢でスケーラブルな300mm統合アプローチを発表しました。この画... -
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Imec、チップレットベース設計への移行を推進:モノリシックASICからAI・HPC向け高帯域幅・低エネルギーを実現
imec ベルギー 概要 Imecは、AI、HPC、データセンターアプリケーション向けに、モノリシックASICからチップレットベースの設計への移行が経済的・技術的に有利になるタイミングを分析した記事を公開しました。シリコン面積がレチクルサイズ限界に近づく中... -
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Imec、AIシステム向け強誘電体メモリ(FeFET)開発を加速:垂直積層IGZOベースFeFETアーキテクチャを実証
IN Electronics & Design ベルギー 概要 Imecは、AIシステム向け強誘電体メモリ(FeRAM)の開発において顕著な進展を遂げ、垂直積層型のIGZOベースFeFET(強誘電体FET)アーキテクチャを実証し、強誘電体キャパシタの動作電圧低減に成功しました。この... -
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Imec、AI・HPC向け光インターコネクトのマイクロ流体&フォトニクスパッケージング博士研究員を募集
ApplyKite (imec) ベルギー 概要 Imecは、次世代AIおよびHPCシステムにおける光インターコネクト向けマイクロ流体およびフォトニクスパッケージング分野の博士研究員を募集しています。このプロジェクトは、キャピラリーアンダーフィルプロセスに焦点を当... -
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imec、RFシリコンインターポーザーでIII-Vチップレット統合に成功、容量密度10-100倍増、600nm未満の整列精度達成
OriginBrief ベルギー 概要 imecは、300mm RFシリコンインターポーザープラットフォームを介したシステムレベルIII-Vチップレット統合を成功させました。この画期的な成果により、容量密度が10〜100倍に増加し、600nm未満という極めて高い整列精度を達成し... -
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imec、Dバンド以上のミリ波・サブTHz向け高密度MIMCAP RFインターポーザー発表、III-Vチップレット統合を加速
imec ベルギー 概要 imecは、Dバンド以上のミリ波およびサブTHzワイヤレスフロントエンド、高速データセンターリンク向けに設計された高密度MIMCAP(Metal-Insulator-Metal Capacitor)RFインターポーザーを発表した。このプラットフォームは、コンパクト... -
企業動向
Park Systems、imecと3Dパッケージング・ロジック研究で提携、次世代半導体向け高度計測ソリューション開発
imec Official Press Release ベルギー 概要 ナノ計測技術のリーダーであるPark Systemsは、世界的な半導体研究ハブであるimecと2年間の共同開発プログラム(JDP)を開始した。この提携は、次世代3D先端パッケージングおよびロジックチップに必要な高度な... -
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EVG、200nmピッチのウェハーハイブリッドボンディングと40nm以下の高精度オーバーレイを達成し、量子技術スケーリングでSALと提携
Distill Intelligence オーストリア 概要 EV Group (EVG)は、最先端のウェハー・ツー・ウェハーハイブリッドボンディング技術において、200nmピッチと40nm以下の高精度オーバーレイを実証する主要な技術的マイルストーンを達成しました。これにより、imec... -
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IMEC、ASML、TSMCが300mmウェハーで2D材料トランジスタを実証、50nmコンタクトポリピッチ達成し産業利用へ前進
IMEC ベルギー 概要 IMECは、ASMLおよびTSMCとの共同研究により、2D材料ベースのn型およびp型FET向けの堅牢でスケーラブルな300mm統合プロセスを発表しました。この成果は、2026 IEEE/JSAP VLSI技術・回路シンポジウムで報告されたもので、MoS2をチャネル... -
企業動向
欧州、先端パッケージングとチップレット統合へ投資強化、imecはFAMESパイロットライン稼働で地域サプライチェーンリスク軽減へ
Astute Group イギリス 概要 欧州は、半導体サプライチェーンの多様化と地域的な調達リスクの低減を目指し、先端パッケージングおよびチップレット統合技術への投資を加速しています。これは、ウェーハ製造能力のみで競争する戦略から脱却し、より付加価値... -
新技術・技術紹介
2026 IEEE ECTCプログラム、3D統合・ハイブリッドボンディング・新基板材料など先進パッケージングの最新研究を発表
IEEE Electronic Components and Technology Conference (ECTC) アメリカ 概要 第76回IEEE Electronic Components and Technology Conference (ECTC)のプログラムが発表され、3D統合、2.5Dアーキテクチャ、ブリッジおよびチップレット統合、ハイブリッドボ... -
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ImecとEV Group、200nmピッチのウェハー対ウェハーハイブリッドボンディングで世界最高のオーバーレイ精度を達成
PR Newswire ベルギー 概要 ImecとEV Groupは、IEEE ECTC 2026で、200nmのCu相互接続パッドピッチでのウェハー対ウェハーハイブリッドボンディングを実証し、300mmウェハー全体で40ナノメートル未満の銅パッド間ポストボンドオーバーレイベクトルという世... -
新技術・技術紹介
ImecとEV Group、200nmピッチでウェーハ対ウェーハハイブリッドボンディングを実証、新記録達成
imec ベルギー 概要 ImecとEV Group(EVG)は、ECTC 2026において、300mmウェーハ上で200nmというこれまでにない微細な銅インターコネクトパッドピッチを持つウェーハ対ウェーハハイブリッドボンディングを実証し、新記録を達成しました。この技術は、ポス... -
パッケージング
Rapidus、2nm生産と先端パッケージング支援のため17億ドルを確保
概要 Rapidus Corporationは、日本政府および民間投資家から約17億ドルの新規資金を確保しました。この資金は、2027年までの2nmロジックチップの量産と、ガラス基板の検討を含む先進バックエンドパッケージングの開発を支援します。 詳細 Rapidusの資金調...
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