Samsung Electronics– tag –
-
Synopsys、Samsung Foundryの最新プロセスでAI・マルチダイ設計の電力・性能を向上
Chiplet News アメリカ 概要 Synopsysは、SAFE Forum 2026において、Samsung Foundryの最新プロセス技術を活用し、AIおよびマルチダイ設計の電力と性能を向上させるソリューションを発表しました。この取り組みは、AIインフラストラクチャと物理AIに対する... -
Samsung、来年にも物理AIチップレットプラットフォームを立ち上げか：AI推論・インフラを加速
Design And Reuse 韓国 概要 Samsungは、来年にも物理AIチップレットプラットフォームを立ち上げる可能性があると報じられています。このプラットフォームは、AI推論およびインフラストラクチャ向けの次世代チップ開発を加速することを目的とし、AIの爆発... -
SKグループ会長、Nvidia・TSMCとAI同盟深化：次世代HBMと先進パッケージング協力拡大へ
The Korea Herald 韓国 概要 SKグループのチェ・テウォン会長は、Nvidiaのジェンセン・フアンCEOとの会談後、TSMCのC.C.魏会長とも会談し、世界で最も影響力のあるAIチップメーカーとの連携を強化しています。両者は、次世代高帯域幅メモリ（HBM）と先進パ... -
Samsung Electronics、ベトナムに15億ドルを投じ半導体テスト施設を建設：AIチップ需要急増に対応
Quintile Reports 韓国 概要 Samsung Electronicsは、AIチップ需要の急増によって引き起こされるメモリチップの供給不足に対応するため、ベトナムに約15億ドルを投じて半導体テスト施設を建設する計画を発表しました。この戦略的な拡張は、同社のグローバ... -
GlobalFoundries、CHIPS Act支援でマルタ工場能力を3倍に増強：2028年末までに年間150万ウェハー生産へ
Tom's Hardware アメリカ 概要 GlobalFoundriesは、米国のCHIPS Actからの資金援助を受け、マルタ工場における生産能力を3倍に増強する10年間で160億ドルの米国投資計画を進めています。この計画には、ドレスデン工場での11億ユーロの拡張も含まれ、2028年... -
Samsung Electronics、業界初の12層HBM4Eサンプル出荷開始：HBM4比でエネルギー効率16%、熱抵抗14%改善
Samsung Electronics 韓国 概要 Samsung Electronicsは、業界初の12層HBM4Eサンプルを主要なグローバル顧客に出荷開始しました。このHBM4Eは、HBM4と比較してエネルギー効率を16%、熱抵抗特性を14%以上改善し、スタックあたり最大3.6TB/sのメモリ帯域幅を... -
Google AI Edge、LiteRT GPUアクセラレータでSamsung Galaxy S24上のオンデバイスAIを19.6msの低遅延で実現
Google AI Edge アメリカ 概要 Google AI Edgeは、LiteRT GPUアクセラレータの新たな進展を発表しました。これはまだオープンソース化されていないものの、KotlinおよびC++ SDKユーザー向けにプレビルド版として利用可能です。Samsung Galaxy S24デバイス... -
グローバル電子ブランドが量子ドットLED市場の革命を加速するメカニズム
Intel Market Research インド 概要 量子ドットLED（QD-LED）技術は、その優れた輝度、色精度、コントラストにより、世界中の電子機器ブランドから大きな注目を集めています。量子ドット（QD）は、光に反応して非常に正確な色を発光する微細な半導体粒子で... -
東京エレクトロンとSamsung、ハイブリッドボンディング装置への設備投資を大幅増強
Mordor Intelligence 日本, 韓国 概要 半導体業界が先端パッケージングへと移行する中、東京エレクトロンとSamsungは、ハイブリッドボンディングおよび一般的なボンディング装置への設備投資を大幅に増やしています。この投資は、GPUおよびAIアクセラレー... -
NVIDIAのCoWoSパッケージングボトルネック緩和も、HBM供給が新たな主要制約に浮上
24/7 Wall St. アメリカ 概要 AIアクセラレータの長年の生産ボトルネックであったTSMCのCoWoS先端パッケージング能力は拡大し、供給逼迫が緩和されつつあります。しかし、今や高帯域幅メモリ（HBM）の供給が新たな主要な制約として浮上しています。TSMCは2... -
SK HynixとSamsung、ハイブリッドボンディング採用のHBM4を披露、2026年下半期の量産目標
Techfund 韓国 概要 CES 2026において、SK HynixとSamsungは、2026年下半期の量産開始を目指すHBM4デバイスの試作品を披露しました。SK Hynixは、高度なTSVとハイブリッドボンディングを活用した16層、48GB容量のHBM4を展示し、高密度化を強調しました。一... -
サムスン、Penta Tandem QD-OLED採用の次世代Odysseyゲーミングモニターと業界初の6Kゲーミングモニターを発表
Samsung 韓国 概要 サムスンは、最新のOdysseyゲーミングモニターラインアップを発表しました。これには、27インチと32インチのOdyssey OLED G8 (G80SH) モデルが含まれ、4K解像度と240HzのリフレッシュレートOLEDパネルを特徴としています。これらのモニ... -
製薬業界の製造再編がCDMOに事業拡大の機会をもたらす：GSK、BMS、サノフィ等が製造施設を売却
Pharmaceutical Technology 米国 概要 製薬業界では、戦略的な製造再編が活発化しており、多くの製薬企業が自社の製造施設をCDMOに売却する傾向が顕著です。Samsung Biologics、Rois、Adragos Pharmaといった主要CDMOが、GSK、Bristol Myers Squibb (BMS)... -
Samsung Electro-Mechanics、住友化学グループとガラスコア基板のJV設立に向けMOU締結
企業発表 韓国 概要 Samsung Electro-Mechanicsは、次世代パッケージ基板の核心材料である「ガラスコア」製造のための合弁会社（JV）設立に向け、日本の住友化学グループとMOUを締結した。このJVは、Dongwoo Fine-Chemの平沢拠点を初期生産拠点とし、ガラ... -
Samsung Electronics、HBM4向けハイブリッドボンディング導入でリーダーシップ確立へ
専門メディア 韓国 概要 Samsung Electronicsは、自社の国内生産施設に第6世代HBM（HBM4）専用のハイブリッドボンディングラインを段階的に導入している。この戦略的投資は、HBM4製品の競争力強化を目的としており、同社は世界で初めてHBM4の量産出荷に成... -
GlobalFoundries、シリコンフォトニクス事業の急成長を予測、2028年までに売上10億ドル超へ
TrendForce アメリカ 概要 GlobalFoundries (GF) は、シリコンフォトニクス事業が2026年には売上高が約2倍に達し、2028年末までに10億ドルを超える可能性があると報じられました。この成長は、AIデータセンターのネットワーキング需要拡大に伴うプラグアブ... -
SamsungとSK Hynix、HBM4Eサンプル供給時期に差：量産時期が競争の鍵に
概要 Samsung ElectronicsとSK Hynixの間で、次世代高帯域幅メモリ（HBM4E）のサンプル供給時期に差が生じていることが明らかになりました。Samsungは2026年第2四半期にHBM4Eサンプルを提供し、16GbpsのI/O速度と4.0TB/sの帯域幅を掲げている一方、SK Hyni... -
DDR6メモリ開発、Samsung、SK Hynix、Micronが2028年出荷を目指す
概要 Samsung、SK Hynix、Micronの主要3社がDDR6メモリの開発を本格化させており、2028年までの商業出荷を目指しています。この次世代DRAMは、AIプラットフォームや高性能コンピューティングの要求に応える上で不可欠であり、より高い帯域幅と低遅延が特徴... -
AI需要がHBM市場を牽引、メモリメーカーの収益は記録的なスーパーサイクルへ
概要 AI推論需要の急増が、高帯域幅メモリ（HBM）の深刻な供給不足を引き起こし、Samsung Electronics、SK Hynix、Micron Technologyといった主要メモリメーカーを記録的な利益のスーパーサイクルへと押し上げています。NVIDIAのGPUに不可欠なHBMへの集中... -
Hana Micron、先端パッケージングでグローバルOSATトップ5入り目指す
概要 韓国を代表する半導体後工程（OSAT）企業であるHana Micronは、先進パッケージング技術を駆使し、2030年までに世界のOSATプロバイダー上位5社入りを目指しています。同社は、SamsungやSK Hynixといった主要顧客のシステム半導体やメモリ半導体のパッ...
