SK HynixとSamsung、ハイブリッドボンディング採用のHBM4を披露、2026年下半期の量産目標

Techfund 韓国

概要

CES 2026において、SK HynixとSamsungは、2026年下半期の量産開始を目指すHBM4デバイスの試作品を披露しました。SK Hynixは、高度なTSVとハイブリッドボンディングを活用した16層、48GB容量のHBM4を展示し、高密度化を強調しました。一方、Samsungは、熱管理と歩留まり向上に焦点を当てた12層、36GBのHBM4スタックを展示しました。業界全体では、HBMスタックが16層を超えていくにつれて、ハイブリッドボンディングの段階的な導入がHBM4以降の世代で検討されるという動きが見られます。

詳細

HBM4開発の現状とハイブリッドボンディングの導入

高帯域幅メモリ（HBM）は、人工知能（AI）および高性能コンピューティング（HPC）用途におけるチップの性能を最大化するために不可欠な技術です。CES 2026では、主要メモリメーカーであるSK HynixとSamsungが、次世代のHBM4デバイスの量産に近いプロトタイプを発表し、2026年下半期に大量生産を開始する目標を明らかにしました。これは、業界がHBM4への移行を加速していることを示唆しています。HBM4は、従来のHBM世代と比較して、より高い積層数とデータ転送速度を実現するために、新しいボンディング技術の導入が不可欠とされています。

両社の技術デモンストレーション

• SK Hynix: 同社は、高度なTSV（Through-Silicon Via）技術とハイブリッドボンディングを駆使して実現した、16層で48GB容量のHBM4デバイスを展示しました。このデバイスは、高い積層密度と優れたパフォーマンス特性を示しており、複雑なAIワークロードに対応するための重要な進歩を示しています。
• Samsung: Samsungは、熱管理と製造歩留まりの向上に重点を置いた12層、36GB容量のHBM4スタックを発表しました。HBMの積層数が増えるにつれて発熱が大きな課題となるため、Samsungのアプローチは実用性と信頼性を重視したものです。同社は、独自の熱放散技術と最適化された製造プロセスにより、高性能と安定性を両立させることを目指しています。

業界の動向と将来展望

HBM技術の進化に伴い、業界ではボンディング技術の大きな転換期を迎えています。特に、HBMスタックが16層を超える高積層化に進むにつれて、従来のマイクロバンプボンディングでは接続ピッチの微細化と信頼性の維持が困難になります。そのため、メモリメーカー各社は、HBM4またはそれ以降の世代において、ハイブリッドボンディング技術の段階的な導入を検討しています。ハイブリッドボンディングは、より微細なピッチと高い接続信頼性を提供し、次世代HBMの性能向上と製造効率化に貢献すると期待されています。この技術革新は、将来のAIおよびHPCシステムの性能限界をさらに押し上げる鍵となるでしょう。