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AIがチップ設計を再形成する中、半導体業界はヘテロジニアス大規模集積（HLSI）へ転換
Next Move Strategy Consulting (via EE Times) アメリカ 概要 AIワークロードの急増に牽引され、半導体業界は従来のシステムオンチップ（SoC）パラダイムを超え、ヘテロジニアス大規模集積（HLSI）へと大きくシフトしています。3D集積とハイブリッドボン... -
MicronのHBM受注残、2028年まで完全に埋まる見通し、GlobalWafersと10年間のオフテイク契約でシリコンウェーハを確保
Investing.com アメリカ 概要 Micron TechnologyのHBM（高帯域幅メモリ）受注残は、2026年および2027年分がすでに完全に埋まっており、2028年まで顧客からの予約が入っていることが明らかになりました。これは、HBM市場における制約要因が需要ではなく供給... -
中国メモリ産業がHBM3/3E開発で急速追撃、YMTCはウェーハ・トゥ・ウェーハハイブリッドボンディング特許を先行取得
BloomingBit.io 中国 概要 中国のメモリ産業が急速に技術力を高め、CXMT（長鑫存儲）などの企業がHBM3およびHBM3Eの開発に注力することで、韓国との技術ギャップを縮めています。特に注目すべきは、NANDフラッシュ分野のリーディングカンパニーであるYMTC... -
Intel、EMIB-TでTSMC CoWoSへの対抗馬として浮上、新メモリXBMアーキテクチャでAIメモリボトルネックを緩和へ
Tom's Hardware アメリカ 概要 Intelの2.5Dパッケージング技術EMIB-Tが、大型パッケージAIアクセラレーター向けにTSMCのCoWoSへの信頼できる代替技術として浮上しています。36/35 µmのバンプピッチでの検証が4.5倍レティクルサイズのシリコンパッケージに... -
SamsungとSK hynix、HBM向けハイブリッドボンディングの本格採用時期を再検討か、16層HBM4Eが最短の導入候補に
TrendForce 台湾 概要 Samsung ElectronicsとSK hynixは、HBM（高帯域幅メモリ）へのハイブリッドボンディング技術の本格的な導入時期を再検討していると報じられています。当初HBM4での採用が期待されていましたが、両社は現在も従来の熱圧着ボンディング... -
Micron、HBM生産強化のため広島工場に93億ドルを投じ2028年稼働へ、シンガポールでもパッケージング能力を拡大
TechsCurrent 日本 概要 Micron Technologyは、高帯域幅メモリ（HBM）の生産能力を強化するため、日本の広島工場に約93億ドル（約1.4兆円）を投じる大規模な拡張計画に着工しました。この新設工場は2028年夏頃からの出荷開始を予定しており、日本の経済産... -
TSMC、AI需要に対応しCoWoS先端パッケージング能力を大幅拡張、2028年までに14リテンクルサイズのパッケージを生産開始へ
Biya Global Limited 台湾 概要 TSMCは、AIチップ需要の急増に対応するため、最先端のCoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）パッケージング能力を大幅に拡張しています。同社は2026年末までにCoWoS容量を月産13万ウェーハまでほぼ4倍に拡大する目標を掲げ、... -
韓国サムスンとSKグループ、忠清道にHBMパッケージング拠点など2525億ドルを投資、AI半導体サプライチェーンを強化
The Korea Herald 韓国 概要 Samsung Electronics、SK hynix、Celltrionなどの韓国主要企業が、忠清道に合計392兆ウォン（約2525億ドル）を投資し、半導体、ディスプレイ、バッテリー、バイオ医薬品分野での拠点強化を図ると発表しました。特に、Samsung E... -
Nvidia、次世代AIアクセラレーターBlackwellのTSMC製CoWoS-L量産を開始、第4四半期まで供給ひっ迫見込み
MetalSemi Asia 台湾 概要 Nvidiaは、次世代AIアクセラレーター「Blackwell」のTSMCにおける量産を本格的に開始しました。このチップはTSMCの4NPプロセスと先端CoWoS-Lパッケージング技術を活用しています。クラウドサービスプロバイダーからの需要は第4四... -
韓国がAI半導体HBM工場に2,520億ドル投資発表、MetaとxAIは計算資源の相互貸与を開始
Let's Data Science 韓国、アメリカ 概要 韓国政府は、AIコンピューティング能力不足が深刻化する中、SamsungとSK Hynixに対し、HBMパッケージング工場建設に総額約2,520億ドルの投資を支援すると発表しました。同時に、MetaがAI計算資源の再販を開始し、x... -
Samsungの「グラフェンボール」技術がリチウムイオン電池容量を45%増、充電速度を5倍に向上させ、先進材料市場を牽引、2032年に1022億ドル規模へ
Industry Today 韓国 概要 Samsungが開発した「グラフェンボール」技術が、リチウムイオン電池の容量を45%増加させ、充電速度を5倍に加速するという画期的な成果を達成しました。この技術は、先進材料市場、特にグラフェン複合材料分野の成長を強力に後押... -
中国CXMT、HBM生産で技術的課題直面、2027-2028年に歩留まり・パッケージング改善が鍵
South China Morning Post (SemiAnalysis引用) 中国 概要 SemiAnalysisの報告によると、中国のDRAMメーカーCXMT（長鑫存儲）は、高帯域幅メモリ（HBM）の安定した商業供給を実現する上で依然として技術的課題に直面している。同社はDRAMプロセス技術で進歩... -
Samsung、HBM4生産能力の半分を割り当て世界初出荷後4ヶ月で10億ドル売上達成、2028年光学HBM量産へ
Samsung (プレスリリース) 韓国 概要 Samsung Electronicsは、次世代HBM4の生産能力の半分を割り当て、世界初出荷からわずか4ヶ月で10億ドル超の売上を達成、年末までに年間100億ドルの売上を見込んでいる。HBM3Eの生産を一時停止しHBM4に注力することで、... -
Samsung、HBM4売上が100億ドル突破見込み、AI需要が牽引
GuruFocus 韓国 概要 Samsung Electronicsの次世代高帯域幅メモリ（HBM4）の売上が、AI需要の急増を背景に、年内に100億ドル（約1.6兆円）を超える見込みです。同社は、HBM4の生産能力増強と技術革新に大規模な投資を行っており、NVIDIAなどの主要なAIチッ... -
TrendForce、Samsungが16層HBM5のスタック信頼性向上へHBMダミーダイ新特許を出願と報じる
TrendForce 台湾 概要 TrendForceは、Samsungが16層HBM5のスタック信頼性を向上させるためのHBMダミーダイに関する新特許を出願したと報じました。この特許は、エポキシモールディングコンパウンド（EMC）の体積を削減し、ハイブリッドボンディングを活用... -
Samsung、HBM4E向けハイブリッド銅ボンディングがパッケージ高さを15%以上削減し熱特性を改善と発表
Sammy Fans 韓国 概要 Samsungは、HBM4Eパッケージング戦略に関する研究を発表し、従来のThermo-Compression Bonding (TCB)に比べてアンダーフィル材料を排除するハイブリッド銅ボンディング（HCB）が熱的に優れていることを強調しました。HCBはホットスポ... -
Samsung、Galaxy S26/S26+に再設計ベイパーチャンバーとカスタマイズTIMを搭載しAI性能を強化
Samsung AU オーストラリア 概要 Samsungは、新型スマートフォンGalaxy S26およびS26+に、AI機能のピーク性能を維持するための高度な熱管理システムを搭載しました。これには、再設計されたベイパーチャンバーと、高性能プロセッサから発生する熱を効率的... -
SK hynix、AIとHBMへの早期戦略的投資が市場価値でSamsungを上回る要因に：NVIDIA需要に対応し生産能力を拡大
Reuters 韓国 概要 SK hynixは、競合するSamsung Electronicsとの差別化を図るため、HBM（高帯域幅メモリ）技術への早期かつ積極的な投資を強化し、NVIDIAからの将来の需要を見越して生産能力を大幅に拡大しました。この戦略が奏功し、同社は2023年に記録... -
HBM4E、2026年後半から2027年に高性能メモリ市場を席巻へ：シングルスタック帯域幅最大4.0TB/s、容量48GB以上でAIモデルを高速化
Ersa Electronics グローバル 概要 HBM4E（高帯域幅メモリ拡張版）は、シングルスタック帯域幅が最大3.6〜4.0 TB/s、容量が48GB以上と予測され、2026年後半から2027年にかけて高性能メモリ市場を牽引する見込みです。この次世代メモリは、超大規模AIモデル... -
SamsungとSK hynix、HBM生産能力を大幅増強：SamsungはHBM4に半数を割り当て2026年末までに月産25万枚
Industry News / ChosunBiz 韓国 概要 Samsung Electronicsは、HBM（High Bandwidth Memory）生産能力を2025年比で約50%増強し、2026年末までに月産25万枚の半導体ウェハを目指すと発表しました。特に、第6世代HBM4には生産能力の半分を割り当て、2月にHBM...
