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AI時代のパッケージングボトルネック解消へ：CoWoS、ウェーハスケール、CoWoP技術の動向
EDN アメリカ 概要 AIチップの性能向上を阻むパッケージングボトルネックが、CoWoS、ウェーハスケールパッケージング、CoWoPなどの先進技術によって解決されつつあります。これらの技術は、ダイ間の接続密度を高め、熱効率を改善することで、AIプロセッサ... -
Applied Materials、先進パッケージングの「ロジック級」製造でメモリメーカーをリード
Futurum Group アメリカ 概要 Applied Materialsは、その先進的なパッケージング技術が、メモリメーカーにロジックチップ製造のような精密なプロセス制御をもたらすと強調しました。同社の統合ソリューションは、HBM（高帯域幅メモリ）や3D積層ダイの製造... -
Applied Materials、AIチップ向けDRAM・先進パッケージング加速の新システムを発表
StockTitan アメリカ 概要 Applied Materialsは、AIチップの性能を大幅に向上させるDRAMおよび先進パッケージングプロセス向けの複数の新システムを発表しました。これらのシステムは、特にHBM（高帯域幅メモリ）の製造効率と信頼性を高め、ハイブリッドボ... -
TrendForce、Samsungが16層HBM5のスタック信頼性向上へHBMダミーダイ新特許を出願と報じる
TrendForce 台湾 概要 TrendForceは、Samsungが16層HBM5のスタック信頼性を向上させるためのHBMダミーダイに関する新特許を出願したと報じました。この特許は、エポキシモールディングコンパウンド（EMC）の体積を削減し、ハイブリッドボンディングを活用... -
SK HynixのAdvanced MR-MUFパッケージングプロセス、HBM4の熱抵抗を17%削減しAIアクセラレータチップ安定化に貢献
Kynix 中国 概要 SK HynixのAdvanced MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）パッケージングプロセスは、従来のHBM4と比較して熱抵抗を17%削減する能力が確認されました。この革新的な技術は、AIアクセラレータチップにおける高密度3Dパッケージングの安... -
Kynix、HBM4向けハイブリッド銅ボンディングが熱性能を20%以上向上させAI負荷時のクロック速度維持に貢献と解説
Kynix 中国 概要 Kynixは、HBM4（高帯域幅メモリ4）向けにハイブリッド銅ボンディング（HCB）技術が熱性能を20%以上向上させると解説しています。この技術は、はんだバンプとアンダーフィル材料を排除し、銅同士を直接接続することで熱抵抗を大幅に低減し... -
Samsung、HBM4E向けハイブリッド銅ボンディングがパッケージ高さを15%以上削減し熱特性を改善と発表
Sammy Fans 韓国 概要 Samsungは、HBM4Eパッケージング戦略に関する研究を発表し、従来のThermo-Compression Bonding (TCB)に比べてアンダーフィル材料を排除するハイブリッド銅ボンディング（HCB）が熱的に優れていることを強調しました。HCBはホットスポ... -
HBMの将来は冷却革新に依存、TSV・高熱伝導性アンダーフィル・HBM5以降のハイブリッドボンディングが鍵
AI Strategies by Kim Joung-Ho 韓国 概要 高帯域幅メモリ（HBM）と高帯域幅フラッシュ（HBF）の将来は、極端な熱密度を管理するための冷却技術革新に大きく依存しています。主要な進歩には、放熱のためのThrough-Silicon Via（TSV）、垂直熱伝導柱、高熱... -
arXiv論文、3.5DヘテロジニアスパッケージにおけるHBM4/HBM5熱誘起性能劣化の軽減手法を提示
arXiv アメリカ 概要 arXivに公開された研究は、3.5DヘテロジニアスパッケージにおけるHBM4/HBM5垂直スティッチングインターフェースで発生する熱誘起メモリリークとソフトエラーに対処することに焦点を当てています。本研究は、プロセス誘起性能劣化を軽... -
ECTC 2026でCoWoS-R反り対策、IBM DBrM、ナノ結晶ダイヤモンドCu/Snマイクロバンプが発表され先進パッケージング技術の進展が明らかに
SemiAnalysis アメリカ 概要 ECTC 2026では、CoWoS-R構造の反り管理におけるアンダーフィルおよびシーラント材料の進歩が発表されました。また、IBMのダイエッジ接着技術を用いた「Direct Bridge Multi-die (DBrM)」や、3Dスタックでの熱伝導性向上のため... -
新型低CTEエポキシモールディングコンパウンド、大型AI半導体の反り問題解決へ
Journal of Materials Science & Technology グローバル 概要 ある研究グループが、HBMやAI半導体などの大型ダイ封止向けに、熱膨張係数（CTE）を大幅に低減したエポキシモールディングコンパウンドを開発しました。この新材料は、大型半導体パッケージに... -
SK hynix、AIとHBMへの早期戦略的投資が市場価値でSamsungを上回る要因に：NVIDIA需要に対応し生産能力を拡大
Reuters 韓国 概要 SK hynixは、競合するSamsung Electronicsとの差別化を図るため、HBM（高帯域幅メモリ）技術への早期かつ積極的な投資を強化し、NVIDIAからの将来の需要を見越して生産能力を大幅に拡大しました。この戦略が奏功し、同社は2023年に記録... -
HBM4E、2026年後半から2027年に高性能メモリ市場を席巻へ：シングルスタック帯域幅最大4.0TB/s、容量48GB以上でAIモデルを高速化
Ersa Electronics グローバル 概要 HBM4E（高帯域幅メモリ拡張版）は、シングルスタック帯域幅が最大3.6〜4.0 TB/s、容量が48GB以上と予測され、2026年後半から2027年にかけて高性能メモリ市場を牽引する見込みです。この次世代メモリは、超大規模AIモデル... -
TSMC CoWoS生産能力が大幅に拡大、NVIDIA B300サーバーの供給制約を解消、リードタイムも8〜16週間に短縮
Contrary Research 台湾 概要 TSMCのCoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）パッケージング生産能力が大幅に拡大したことで、2025年に6ヶ月以上を要していたGPUの調達における主要な制約が解消されました。この改善により、新しいNVIDIA B300サーバーは、現... -
BE Semiconductor Industries (BESI)、ハイブリッドボンディング需要の急増で長期売上高目標を22億ユーロに、営業利益率目標を45%に上方修正
Bits&Chips オランダ 概要 BE Semiconductor Industries (BESI) は、長期的な年間売上高目標を従来の15億〜19億ユーロから17億〜22億ユーロへと大幅に引き上げました。同時に、営業利益率目標の下限も40%から45%に上方修正されました。この積極的な見... -
SK hynix、先進MR-MUFパッケージング採用の12層HBM4Eサンプル出荷：HBM4比で電力効率20%以上、耐熱性17%改善を実現
Advanced Packaging News 韓国 概要 SK hynixは、次世代AIシステム向けに12層HBM4Eメモリのサンプル出荷を開始したと発表しました。この革新的なHBM4Eは、同社独自のAdvanced MR-MUFパッケージング技術を採用することで、単一スタックで48GBの容量と最大16... -
シンガポール輸出、2026年5月に22年ぶり高成長を記録：Micron HBMパッケージング施設が貢献、UMC 22nm生産も開始
FSMOne シンガポール 概要 シンガポールの2026年5月の非石油国内輸出（NODX）は、過去22年間で最高の伸びを記録し、これは同国がAI半導体サプライチェーンに深く統合されていることが主要因です。特に、Micron TechnologyのシンガポールにおけるHBM先端パ... -
Hanmi Semiconductor、SK hynixからHBM4生産向け442億ウォン相当のTC Bonderを受注、先端パッケージング装置市場が活況
HTX 韓国 概要 Hanmi Semiconductorは、SK hynixから次世代メモリHBM4生産に不可欠な442億ウォン相当のTC Bonder 4.5 Griffinを受注し、2026年9月上旬に納入を予定しています。この大型受注は、HBMスタッキング、AIチップのチップ・ツー・サブストレート(C... -
Morgan Stanley、2027年までのCoWoS需要予測を269万ウェハに上方修正：CPUとASICが新たな牽引役に
Industry Analysis / Moomoo 不明 概要 Morgan Stanleyは、TSMCのCoWoSパッケージングに対する需要予測を大幅に上方修正し、2027年までに年間269万ウェハに達すると発表しました。従来のGPUに加え、CPUとASICがCoWoS需要の新たな主要な牽引役として浮上し... -
SamsungとSK hynix、HBM生産能力を大幅増強：SamsungはHBM4に半数を割り当て2026年末までに月産25万枚
Industry News / ChosunBiz 韓国 概要 Samsung Electronicsは、HBM（High Bandwidth Memory）生産能力を2025年比で約50%増強し、2026年末までに月産25万枚の半導体ウェハを目指すと発表しました。特に、第6世代HBM4には生産能力の半分を割り当て、2月にHBM...
