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新技術・技術紹介
Indium Corporation、SEMICON TaiwanでAI向け高熱伝導性焼結ペースト・TIMなど先端材料を展示
Indium Corporation アメリカ 概要 Indium Corporationは、SEMICON Taiwan 2026において、AI技術を可能にする異種統合およびアセンブリ(HIA)製品と、画期的な熱界面材料(TIM)を含む革新的な材料群を展示します。特に、優れた熱放散と高い熱伝導率を提... -
新技術・技術紹介
Indium CorporationのJason Chou氏、SEMICON TaiwanでAIパッケージング向け「材料ソリューション」を発表
Indium Corporation アメリカ 概要 Indium CorporationのJason Chou氏が、2026年9月2日から4日に開催されるSEMICON Taiwanにて、「AI産業向けパッケージングからシステムアセンブリまでの材料ソリューション」と題する講演を行います。この発表では、マイ... -
市場動向
高出力パッケージング向けダイアタッチはんだペーストの進化:60-70 W/m·K超の熱伝導率と精密充填を実現
Global SMT & Packaging グローバル 概要 Global SMT & Packagingの記事は、高出力パッケージングにおいてダイアタッチはんだペーストが重要な役割を果たすことを強調しています。これらのペーストは、60-70 W/m·K(Cu/Ni強化相添加で70 W/m·K以上)と... -
新技術・技術紹介
インディウムコーポレーション、SEMICON TaiwanでAI向け高熱伝導性TIMおよび焼結ペーストを展示
Indium Corporation アメリカ 概要 インディウムコーポレーションは、SEMICON TaiwanにてAI技術を支える革新的な材料群を展示しました。主要な製品は、優れた熱伝導性を誇るHeat-Spring®圧縮性金属TIMsとソルダーTIMsで、これらは高電力密度デバイスの発熱... -
市場動向
Indium社、PCIM Asia 2026でSiCおよびCu焼結ペーストなど高信頼性パワーデバイス向け材料を発表
Indium Corporation アメリカ 概要 Indium Corporationは、PCIM Asia 2026で次世代パワーエレクトロニクス向け高信頼性パッケージングソリューションを発表する。主要製品として、SiCダイアタッチ用のInFORCE®MF圧力Ag焼結ペーストと、パワーディスクリー... -
市場動向
インジウム・コーポレーション、GaNパワーデバイス向け「低温銀焼結ペースト」を発表
インジウム・コーポレーション(Indium Corporation Product Launch) アメリカ 概要 インジウム・コーポレーションは、窒化ガリウム(GaN)パワーデバイス向けに設計された新規低温銀焼結ペーストを発表した。この材料は、感熱性の高いGaN構造を保護しつ... -
新技術・技術紹介
ヘレウス、EVインバーター向け高出力SiCモジュール用「圧力不要型銀焼結ペースト」2種を投入
ヘレウス・エレクトロニクス(Heraeus Electronics News) ドイツ 概要 ヘレウスは、電気自動車(EV)インバーター向け高出力炭化ケイ素(SiC)モジュールにおける堅牢なダイアタッチ用途に設計された新規銀焼結ペースト2種を発表した。これらの新配合は、... -
市場動向
Indium Corporation、高性能半導体向け次世代銅焼結ペーストを発表:金銀めっき不要で高信頼性ダイアタッチ実現
Indium Corporation アメリカ 概要 Indium CorporationはICEPT 2026で、高出力半導体アプリケーション向けの次世代銅焼結ペーストを発表しました。このペーストは、金または銀めっきを必要とせず、高い信頼性、優れた熱的・電気的性能、および強力な接合力... -
市場動向
Indium Corporation、ICEPT 2026で金銀メッキ不要の高信頼性銅焼結ペーストとBiフリー中温はんだを発表
Indium Corporation アメリカ 概要 Indium CorporationはICEPT 2026にて、高出力半導体向けの画期的な銅焼結ペーストと次世代エレクトロニクス組立向け鉛フリー・Biフリー中温はんだの2つの先進ソリューションを発表します。この銅焼結ペーストは、金や銀... -
市場動向
Lenovo Legion Y70 2026ゲーミングフォン、12W/mK液体金属と高熱伝導性ゲルで冷却性能を大幅強化
Cashkr 中国 概要 Lenovoの次世代ゲーミングフォン「Legion Y70 2026」は、その冷却システムを大幅に強化しました。5,500平方ミリメートルの大型ベイパーチャンバーに加え、12W/mKの液体金属熱伝導率と高熱伝導性ゲルを組み合わせることで、従来のサーマル... -
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Heraeus、高出力GaNデバイス向け無加圧焼結ペーストを発表、製造コストと性能を両立
Semiconductor Today ドイツ 概要 Heraeusは、高出力GaN(窒化ガリウム)デバイス向けに、革新的な無加圧焼結ペーストを発表しました。この材料は、複雑な圧力装置を必要とせずに高い接合強度と優れた熱伝導性を実現し、GaNパワーデバイスの製造コスト削減... -
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新型銀焼結ペーストがSiCパワーモジュールの熱管理を革新、EV・再生エネに貢献
Power Electronics Magazine グローバル 概要 SiC(炭化ケイ素)パワーモジュール向けに、高熱伝導率と優れた信頼性を持つ新型銀焼結ペーストが発表されました。この焼結接合材料は、SiCデバイスの高温動作時の熱管理性能を従来比で大幅に向上させることが... -
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Sheen Technology、EVバッテリーの熱管理で航続距離向上と安全確保に貢献
Sheen Technology 中国 概要 Sheen Technologyは、新エネルギー車用バッテリーの熱管理がEVの航続距離向上に不可欠であるとし、適切な熱ペーストや熱グリースの塗布を推奨しています。薄く均一なギャップフィラー層の塗布や相変化材料の活用が、バッテリー... -
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「PCIM Europe 2026」にてパワーモジュール信頼性とSiC・GaNパワー半導体パッケージング技術の革新が発表
MacDermid Alpha, PCIM Europe ドイツ 概要 2026年6月5日から7日までニュルンベルクで開催されたPCIM Europe 2026では、パワーモジュールの信頼性向上と次世代パワー半導体パッケージングに関する革新的なソリューションが多数発表されました。MacDermid A... -
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Henkel Adhesives、高性能コンピューティングと生成AI向けに先進半導体パッケージング材料を革新
Henkel Adhesives ドイツ 概要 Henkelは、急速に進化する技術環境において、高性能、高集積、高効率が求められる先進半導体パッケージング向けに革新的な材料ソリューションを開発している。特に、ファインピッチ、高密度相互接続を可能にする材料に焦点を... -
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#17 MDPI論文:一時液相接合に基づくSnめっきCuはんだペーストがパワーデバイス応用に期待
MDPI スイス 概要 この論文では、一時液相接合(TLPB)技術に基づくSnめっきCuはんだペーストが、パワーデバイスパッケージングへの応用可能性について報告されています。銅は優れた電気伝導性と熱伝導性を持つものの、焼結時に酸化しやすいという問題があ... -
新技術・技術紹介
#06 ヘンケル、パワーエレクトロニクス向け材料進化を解説:信頼性と熱管理の鍵
EE Times アメリカ 概要 ヘンケルのブルチャック・コンリー博士は、パワーエレクトロニクスにおける材料進化の重要性について解説しました。ダイアタッチ封止材や熱界面材料(TIM)は、熱サイクル、高電流、過酷な動作条件下でのモジュール信頼性を決定す... -
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Heraeus Electronics、PCIM Europe 2026で先進パワー半導体向け高信頼性ダイアタッチ材料を発表
Heraeus Electronics ドイツ 概要 Heraeus Electronicsは、PCIM Europe 2026において、パワーエレクトロニクス向けの最新材料技術を発表しました。新製品には、精密印刷とマルチプロセス互換性を備えた高密度パッケージング向け「mAgic® PE340 銀圧焼結ペ... -
市場動向
田中貴金属グループ、次世代半導体向け高熱伝導ダイアタッチ材料をSEMICON Southeast Asia 2026で発表
田中貴金属グループ 日本 概要 田中貴金属グループは、SEMICON Southeast Asia 2026において、SiCやGaNなどの次世代半導体向けに高熱伝導率と高信頼性を実現する銀焼結ペーストおよびAgSn TLPシートを発表します。特に銀焼結ペーストは200 W/m·Kを超える熱... -
新技術・技術紹介
SiCインバーターの過熱を抑制する直接ダイアタッチ型マイクロチャネル冷却と焼結銀接合技術
PatSnap Eureka アメリカ 概要 高電力密度SiCインバーターの過熱問題に対処するため、直接ダイアタッチ型マイクロチャネル冷却と焼結銀接合技術を組み合わせた革新的な熱管理ソリューションが提案されています。この技術は、SiCダイを多結晶CVD SiCマイク...
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