インジウム・コーポレーション、GaNパワーデバイス向け「低温銀焼結ペースト」を発表

2026年8月23日

インジウム・コーポレーション（Indium Corporation Product Launch）アメリカ

概要

インジウム・コーポレーションは、窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス向けに設計された新規低温銀焼結ペーストを発表した。この材料は、感熱性の高いGaN構造を保護しつつ、大幅に低い処理温度での高信頼性ダイアタッチを可能にし、GaN技術のパワーエレクトロニクス分野での幅広い採用を促進する。優れた熱性能と機械的強度を提供する。

詳細

主要成果

インジウム・コーポレーションは、窒化ガリウム（GaN）パワーデバイスの製造において、その感熱性を克服し、より高い信頼性と普及を可能にする新規低温銀焼結ペーストを発表しました。この画期的な材料は、大幅に低い温度で堅牢なダイアタッチを実現し、GaNデバイスの性能と耐久性を向上させます。

技術詳細

低温焼結プロセスの実現: 従来の銀焼結ペーストは高温での処理が必要でしたが、GaNデバイスは熱に敏感な特性があります。インジウム・コーポレーションの新ペーストは、革新的な組成により、GaNデバイスへの熱負荷を最小限に抑えつつ、堅牢なダイアタッチを可能にする低温での焼結を実現します。具体的な処理温度は従来比で数十℃低いレベルであり、GaNの特性劣化を防ぎます。
高信頼性ダイアタッチ: 低温処理でありながら、本材料は優れた接合強度と信頼性を提供します。これにより、GaNデバイスが動作中に経験する熱サイクルや機械的ストレスに対して、安定した接続を維持し、長寿命化に貢献します。
優れた熱性能: 銀の持つ高い熱伝導率と、緻密な焼結構造により、GaNチップからヒートシンクへの放熱が極めて効率的に行われます。これにより、デバイスの接合部温度を低く保ち、GaNパワーデバイスの最大性能を引き出し、効率的な電力変換をサポートします。
GaN技術の普及促進: 低温処理が可能になったことで、GaNデバイスの製造プロセスが簡素化され、従来のシリコンベースのデバイス製造ラインへの導入が容易になります。これにより、GaN技術がスマートフォン充電器、EV充電器、サーバー電源など、より広範なパワーエレクトロニクス用途で採用される道を開きます。

背景・業界文脈

GaNパワーデバイスは、高いスイッチング速度、低オン抵抗、高効率といった優れた特性を持ち、次世代パワーエレクトロニクスの主役として期待されています。しかし、その熱に弱い特性が製造プロセスにおける課題となっていました。低温で高信頼性のダイアタッチを実現する本材料の開発は、GaNデバイスの製造コスト低減と信頼性向上に直結し、市場での競争力を高める上で極めて重要です。

今後の展望

インジウム・コーポレーションは、この低温銀焼結ペーストがGaNパワーデバイス市場の成長を加速させるとともに、SiC（炭化ケイ素）などの他のワイドバンドギャップ半導体デバイスへの応用も視野に入れています。同社は、パワーエレクトロニクス分野における材料ソリューションのリーディングカンパニーとして、さらなる技術革新を通じて、エネルギー効率の高い社会の実現に貢献していくでしょう。

元記事: https://www.indium.com/news/2026/sinter-paste-gan

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