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Indium Corporation、SEMICON TaiwanでAI向け高熱伝導性焼結ペースト・TIMなど先端材料を展示
Indium Corporation アメリカ 概要 Indium Corporationは、SEMICON Taiwan 2026において、AI技術を可能にする異種統合およびアセンブリ（HIA）製品と、画期的な熱界面材料（TIM）を含む革新的な材料群を展示します。特に、優れた熱放散と高い熱伝導率を提... -
高出力パッケージング向けダイアタッチはんだペーストの進化：60-70 W/m·K超の熱伝導率と精密充填を実現
Global SMT & Packaging グローバル 概要 Global SMT & Packagingの記事は、高出力パッケージングにおいてダイアタッチはんだペーストが重要な役割を果たすことを強調しています。これらのペーストは、60-70 W/m·K（Cu/Ni強化相添加で70 W/m·K以上）と... -
インディウムコーポレーション、SEMICON TaiwanでAI向け高熱伝導性TIMおよび焼結ペーストを展示
Indium Corporation アメリカ 概要 インディウムコーポレーションは、SEMICON TaiwanにてAI技術を支える革新的な材料群を展示しました。主要な製品は、優れた熱伝導性を誇るHeat-Spring®圧縮性金属TIMsとソルダーTIMsで、これらは高電力密度デバイスの発熱... -
Indium社、PCIM Asia 2026でSiCおよびCu焼結ペーストなど高信頼性パワーデバイス向け材料を発表
Indium Corporation アメリカ 概要 Indium Corporationは、PCIM Asia 2026で次世代パワーエレクトロニクス向け高信頼性パッケージングソリューションを発表する。主要製品として、SiCダイアタッチ用のInFORCE®MF圧力Ag焼結ペーストと、パワーディスクリー... -
インジウム・コーポレーション、GaNパワーデバイス向け「低温銀焼結ペースト」を発表
インジウム・コーポレーション（Indium Corporation Product Launch） アメリカ 概要 インジウム・コーポレーションは、窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス向けに設計された新規低温銀焼結ペーストを発表した。この材料は、感熱性の高いGaN構造を保護しつ... -
ヘレウス、EVインバーター向け高出力SiCモジュール用「圧力不要型銀焼結ペースト」2種を投入
ヘレウス・エレクトロニクス（Heraeus Electronics News） ドイツ 概要 ヘレウスは、電気自動車（EV）インバーター向け高出力炭化ケイ素（SiC）モジュールにおける堅牢なダイアタッチ用途に設計された新規銀焼結ペースト2種を発表した。これらの新配合は、... -
Indium Corporation、高性能半導体向け次世代銅焼結ペーストを発表：金銀めっき不要で高信頼性ダイアタッチ実現
Indium Corporation アメリカ 概要 Indium CorporationはICEPT 2026で、高出力半導体アプリケーション向けの次世代銅焼結ペーストを発表しました。このペーストは、金または銀めっきを必要とせず、高い信頼性、優れた熱的・電気的性能、および強力な接合力... -
新型低温焼結ダイアタッチ材料、IGBTモジュールの製造プロセスを革新し性能向上へ
Advanced Power Semiconductor Technology グローバル 概要 IGBTモジュール向けの新しい低温焼結ダイアタッチ材料が発表され、熱に敏感な部品へのストレスを軽減しながら、高い熱伝導率と信頼性を提供します。この材料は、より低い温度での接合を可能にす... -
柔軟エポキシと焼結銀マイクロフィラー、WBG半導体パッケージの低温焼結と信頼性を向上
ResearchGate グローバル 概要 ワイドバンドギャップ（WBG）半導体パッケージングにおいて、柔軟なエポキシバインダーと焼結銀（s-Ag）マイクロフィラーを組み合わせたダイアタッチ材料が、低温焼結を加速し、相互接続特性と信頼性を大幅に向上させること... -
Indium Corporation、IMSにて5G・軍事・航空宇宙向けGaNデバイス用AuLTRA® 75金系ダイアタッチプレフォームを発表
Industrial Electronics アメリカ 概要 Indium Corporationは、国際マイクロ波シンポジウム（IMS）にて、高信頼性の金系精密ダイアタッチプレフォームを展示すると発表しました。特に、5G、軍事、航空宇宙通信分野の高周波RFパワーアンプ用GaNダイ向けオフ... -
3D-IC検証の複雑性を克服：マルチフィジックス解析が熱・機械的応力・信頼性課題解決の鍵
Semiconductor Engineering アメリカ 概要 半導体業界が2Dから2.5Dおよび3D-ICへと移行するにつれ、検証の複雑性が増大しています。この記事では、熱管理、機械的応力相互作用、および信頼性検証の要件といった新たな課題に対処するために、マルチフィジッ... -
SiCパワーモジュールパッケージング技術の包括的レビュー：熱・電気性能向上に銀・銅焼結が鍵
IEEE Xplore 不明 概要 SiCパワーモジュールのパッケージングに関する包括的なレビュー論文が発表され、レイアウト、材料システム、および統合の側面から最新技術を分析しています。このレビューでは、鉛フリー高温はんだ付け、銀焼結、銅焼結といった先進... -
焼結銀と鉛フリー合金の比較：亀裂伝播速度
PatSnap Eureka グローバル 概要 Indium Corporationの焼結銀ダイアタッチ材料が、従来の鉛フリー合金と比較して優れた亀裂伝播耐性を示すことが報告されました。同社の焼結銀技術は、エネルギー吸収メカニズムを通じて亀裂伝播を偏向させる多孔質微細構造... -
#06 ヘンケル、パワーエレクトロニクス向け材料進化を解説：信頼性と熱管理の鍵
EE Times アメリカ 概要 ヘンケルのブルチャック・コンリー博士は、パワーエレクトロニクスにおける材料進化の重要性について解説しました。ダイアタッチ封止材や熱界面材料（TIM）は、熱サイクル、高電流、過酷な動作条件下でのモジュール信頼性を決定す... -
Heraeus Electronics、PCIM Europe 2026で先進パワー半導体向け高信頼性ダイアタッチ材料を発表
Heraeus Electronics ドイツ 概要 Heraeus Electronicsは、PCIM Europe 2026において、パワーエレクトロニクス向けの最新材料技術を発表しました。新製品には、精密印刷とマルチプロセス互換性を備えた高密度パッケージング向け「mAgic® PE340 銀圧焼結ペ... -
田中貴金属グループ、次世代半導体向け高熱伝導ダイアタッチ材料をSEMICON Southeast Asia 2026で発表
田中貴金属グループ 日本 概要 田中貴金属グループは、SEMICON Southeast Asia 2026において、SiCやGaNなどの次世代半導体向けに高熱伝導率と高信頼性を実現する銀焼結ペーストおよびAgSn TLPシートを発表します。特に銀焼結ペーストは200 W/m·Kを超える熱... -
SiCインバーターの過熱を抑制する直接ダイアタッチ型マイクロチャネル冷却と焼結銀接合技術
PatSnap Eureka アメリカ 概要 高電力密度SiCインバーターの過熱問題に対処するため、直接ダイアタッチ型マイクロチャネル冷却と焼結銀接合技術を組み合わせた革新的な熱管理ソリューションが提案されています。この技術は、SiCダイを多結晶CVD SiCマイク...
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