SK hynix、12層スタック48GBの次世代HBM4E AIメモリチップの出荷を開始、ピンあたり16Gbps、電力効率20%以上向上

2026年6月20日

Bisinfotech 韓国

概要

SK hynixは、次世代HBM4E AIメモリチップの出荷を開始しました。この革新的なチップは、12層スタックで48GBの大容量、ピンあたり最大16Gbpsの超高速データ転送速度、そして20%以上の電力効率向上という驚異的な性能を実現しています。同社独自のAdvanced MR-MUFパッケージング技術により、層間に特殊な材料を適用することで強化された保護が提供されています。これにより、SK hynixはAIサーバーおよび高性能コンピューティング市場におけるリーダーシップをさらに確固たるものとし、次世代AIアプリケーションの要求に応える準備を整えました。

詳細

主要成果

SK hynixは、次世代の高帯域幅メモリ（HBM）であるHBM4E AIメモリチップの出荷を開始しました。この画期的な製品は、12層スタックで48GBという大容量を実現し、ピンあたり最大16Gbpsの超高速データ転送速度を誇ります。さらに、電力効率を従来比で20%以上向上させており、AIアクセラレーターおよび高性能コンピューティング（HPC）アプリケーションの性能と効率を飛躍的に高めることが期待されます。

技術・臨床詳細

HBM4Eは、SK hynixが開発した最先端の3Dスタッキング技術と独自のAdvanced MR-MUF（Mass Reflow-Molded Underfill）チップパッケージング技術を組み合わせることで実現されました。このAdvanced MR-MUFプロセスでは、複数のDRAMダイを垂直に積層し、その層間に特殊な成形アンダーフィル材料を適用することで、チップの熱管理能力を向上させ、機械的強度と信頼性を高めています。具体的には、この技術により、チップ内部の熱放散が最適化され、高密度集積環境下での安定動作が可能となります。12層スタック構造は、限られたフットプリント内で最大限のメモリ容量を提供し、ピンあたり16Gbpsというデータ転送速度は、AIモデルの学習や推論におけるデータボトルネックを大幅に解消します。背景・業界文脈

AIモデルの規模と複雑さが増すにつれて、AIアクセラレーターはより大容量で高速なメモリを必要としています。HBMは、従来のDRAMと比較して、はるかに高い帯域幅と低い消費電力を実現するため、AI GPUやHPCプロセッサの主要コンポーネントとなっています。SK hynixは、HBM市場におけるパイオニアでありリーダーとしての地位を確立しており、HBM3Eに続きHBM4Eを迅速に市場投入することで、その優位性をさらに強化しようとしています。今回のHBM4Eの出荷開始は、NVIDIAなどの主要なAIチップメーカーが次世代製品を開発する上で不可欠な要素となり、AI半導体市場全体の成長を加速させる重要なマイルストーンです。

今後の展望

SK hynixのHBM4Eメモリチップの出荷開始は、AI技術の発展に大きな影響を与えるでしょう。より高速で大容量、かつ電力効率の高いメモリの提供は、AIモデルの複雑化、大規模化を可能にし、自動運転、創薬、大規模言語モデルなど、様々なAIアプリケーションの性能を向上させます。特に、20%以上の電力効率向上は、データセンターの運用コスト削減と環境負荷低減にも貢献します。これにより、SK hynixはHBM市場でのリーダーシップを確固たるものにし、次世代AIシステムの設計と実装において中心的な役割を果たすことが期待されます。

元記事: https://www.bisinfotech.com/sk-hynix-hbm4e-ai-memory-chips/

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