主要成果
Navitas Semiconductor Corpは、次世代のエネルギーおよびグリッドインフラ向けに、超高耐圧（UHV）SiCパワーモジュールファミリーを投入した。中心となるG4H08MT23GB4は、耐圧2300Vのフルブリッジモジュールであり、業界標準のSiCPAKフォームファクタを採用している。同社は、このモジュールが8mΩというクラス最高水準のオン抵抗（R DSON）を実現したと主張している。
技術・詳細
本製品は、Navitasの第4世代「GeneSiC Trench-Assisted Planar (TAP)」アーキテクチャを採用しており、これにより2300Vおよび3300VのUHV SiCポートフォリオが拡充された。高信頼性と高出力動作を実現するため、以下の構造的改良が盛り込まれている。
- 熱管理と絶縁：窒化アルミニウム（AlN）活性金属接合（AMB）基板を採用し、優れた熱拡散性と5kV以上の絶縁能力を確保した。
- 封止技術：エポキシ樹脂ポッティング技術により、内部応力分布の低減と水分・汚染物質の浸入抑制を実現。熱伝導率はシリコーンゲル比で10倍に向上している。
- 接続性：高電流対応のプレスフィットピンを採用し、標準的な接続よりもピンあたりの電流許容能力を2倍に高めた。また、オプションでヒートシンク組立を簡素化する事前塗布済みの熱界面材料（TIM）も提供される。
信頼性面では、AEC-Q101およびJEDEC標準を超える社内基準「AEC-Plus」による認定が行われる。これには、高速スイッチング環境を想定した動的逆バイアス（DRB）および動的ゲートスイッチング（DGS）試験が含まれるほか、静的な高温・高電圧試験（HTRB, HTGB, HTGB-R）の期間を3倍以上に延長している。さらに、パワーサイクルおよび温度サイクル試験の拡張、およびHV-H3TRB（HV-THB）認定も実施される。
背景・業界の文脈
次世代のAIデータセンターを支えるグリッド接続電源アーキテクチャにおいて、中電圧のビルディングブロックとしての需要が高まっている。具体的には、グリッド電力をAIデータセンターラック内で使用される高電圧DCレールに直接変換するソリッドステート変圧器への適用が想定されている。これにより、本モジュールはAIインフラポートフォリオの中核に位置づけられることになる。
今後の展望
本製品は、AIデータセンターやエネルギー・グリッドインフラに加え、バッテリーエネルギー貯蔵システム（BESS）、太陽光インバータ、EVメガワット充電インフラ、水素燃料電池電解、DC-DC変換、産業用モータドライブ、高電圧電源などの幅広いアプリケーションへの展開が見込まれている。Navitasは、第4世代のTAPアーキテクチャを通じて、超高耐圧SiCの限界を押し広げ、グリッドインフラの再構築に寄与することを目指している。
元記事: https://www.semiconductor-today.com/news_items/2026/oct/navitas-211026.shtml
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