主要成果
Intel Foundryは、AIワークロードの需要増大に対応するため、FoverosスタッキングとEMIB（Embedded Multi-die Interconnect Bridge）インターコネクトを含む先端パッケージング技術を戦略的に活用し、データセンター向けAIコンピューティング性能を大幅に強化しています。これらの革新技術は、複数の特殊チップを単一の強力なユニットとして相互接続することで、従来の半導体スケール限界を乗り越え、次世代AI半導体を実現します。特に2026年には、チップへ直接電力を供給し電力効率と信号ルーティングを改善するEMIB-Tの導入を計画しており、HBM（高帯域メモリ）技術のサポートをさらに強化する予定です。
技術・臨床詳細
- Foverosは、ロジックチップを垂直に積層する3Dスタッキング技術であり、異なるプロセスノードで製造されたチップを統合し、コンパクトなフットプリントで高い性能と電力効率を実現します。これにより、AIアクセラレータはより多くの計算能力を少ない面積で提供できるようになります。
- EMIBは、異なるプロセスノードで製造されたチップレットをサイドバイサイドで接続する2.5Dパッケージング技術です。従来のインターポーザーに比べて配線長を短縮し、低電力で高速なチップ間通信を可能にします。EMIB-Tは、チップへ直接電源を供給するPowerVia技術を応用し、電力供給の効率化と信号整合性の向上を図ることで、AIチップのさらなる性能向上に貢献します。
- これらの技術は、特にHBMのような高帯域幅メモリとの統合において、データ転送のボトルネックを解消し、AIモデルの学習・推論速度を劇的に向上させる上で不可欠です。
背景・業界文脈
AIの進化に伴い、データセンターでは膨大なデータを高速に処理するための高性能かつ電力効率に優れた半導体が求められています。従来のモノリシックなチップ設計では、製造コストと物理的限界に直面しており、複数のチップレットを統合するヘテロジニアス統合が業界の新たな主流となっています。Intelは、FoverosやEMIBといった独自の先端パッケージング技術を開発することで、このトレンドをリードし、AI半導体市場における競争力を高めようとしています。これは、単一のチップ性能向上だけでなく、システム全体の性能と効率を最大化するアプローチです。
今後の展望
FoverosとEMIB、そして2026年に導入されるEMIB-Tは、IntelがAI時代のリーダーシップを確立するための重要な技術基盤となります。これらの先端パッケージング技術は、Intel Foundryが多様な顧客のAI半導体設計に対応するための柔軟性と拡張性を提供し、次世代のAIアクセラレータ、HPC、データセンタープロセッサの性能をさらに引き上げるでしょう。電力効率とバンド幅の向上は、AIシステムの総所有コスト（TCO）削減にも寄与し、業界全体に大きな影響を与えることが期待されます。
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