チップレットアンダーフィルディスペンシング市場、HBM・C2Wハイブリッドボンディングのボイド低減ニーズで2036年まで成長

Fact.MR アメリカ
概要
本記事はFact.MRが発行した市場調査レポートの概要紹介です。チップレットアンダーフィルディスペンシング市場は、HBM製造におけるウェハーレベルアンダーフィルの需要と、チップ・ツー・ウェハー(C2W)ハイブリッドボンディングでのボイド低減のため、調整された粘度・硬化プロファイルを持つ接着剤の必要性により成長しています。OSATプロバイダーは多様なダイサイズや基板仕上げに対応する材料とレシピを認証しており、40 µm以下のバンプピッチではウェハーレベルアンダーフィルラミネーションや非導電性フィルムが技術的課題を解決しています。
詳細

本記事はFact.MRが発行した市場調査レポートの概要紹介です。チップレットアンダーフィルディスペンシング市場は、高性能半導体パッケージング、特に高帯域幅メモリ(HBM)やチップ・ツー・ウェハー(C2W)ハイブリッドボンディングの進化に伴い、2036年まで継続的な成長が予測されています。

レポート概要

レポートは、チップレット技術の進展がアンダーフィルディスペンシング市場に与える影響に焦点を当てています。HBM製造におけるウェハーレベルアンダーフィルの重要性や、C2Wハイブリッドボンディングにおけるボイド(空隙)発生の低減が主要な課題として挙げられています。これに対応するため、市場では粘度や硬化プロファイルが精密に調整された接着剤への需要が高まっています。また、OSAT(Outsourced Semiconductor Assembly and Test)プロバイダーが、さまざまなダイサイズ、基板仕上げ、そして顧客の厳しい信頼性要件を満たすアンダーフィル材料とディスペンシングレシピの認証に積極的に取り組んでいる状況が報告されています。

主要な調査結果

  • HBM製造におけるウェハーレベルアンダーフィルおよびC2Wハイブリッドボンディングのボイド低減ニーズが市場成長を牽引しています。
  • 精密に調整された粘度と硬化プロファイルを持つアンダーフィル接着剤が、高性能パッケージングの信頼性向上に不可欠です。
  • OSATプロバイダーは、多様な半導体デバイスとプロセス要件に対応するため、アンダーフィル材料とディスペンシングレシピの認証を積極的に進めています。
  • キャピラリーアンダーフィルは、熱機械的応力からの保護において依然として基準となるプロセスですが、40 µm以下の微細なバンプピッチではウェハーレベルアンダーフィルラミネーションや非導電性フィルム(NCF)がボトルネックを解消する重要な技術として浮上しています。

発行会社について

Fact.MRは、幅広い産業分野における深い市場洞察と詳細な分析を提供するグローバルな市場調査会社です。同社のレポートは、市場規模、トレンド、競合分析、成長機会に関する実用的な情報を提供し、企業が戦略的な意思決定を行う上で役立つことを目指しています。

元記事: https://www.factmr.com/report/chiplet-underfill-dispensing-market

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