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IMEC、TSMC、Intel、Samsungが2D半導体トランジスタでシリコンの壁を越えムーアの法則を維持へ
Internet Pros アメリカ 概要 シリコントランジスタがスケーリングの限界に達する中、IMEC、TSMC、Intel、Samsungといった主要企業は、次世代チップ向けに原子レベルの薄さを持つ2D半導体へと目を向けています。硫化モリブデン（MoS2）などの2D材料は、数... -
アリゾナ大学、量子材料の発見により極限環境向け耐放射線エレクトロニクスが進歩
University of Arizona News アメリカ 概要 アリゾナ大学の研究者たちが、量子材料の新たな特性を発見し、将来の宇宙システムや核融合炉などの極限環境下で動作する電子部品および監視装置の耐放射線性を大幅に高める可能性を示しました。この研究は、放射... -
KAISTが電気信号で光学機能を再構成可能な「宇宙センサー」向けメタサーフェスを開発、単一チップで多様な役割
EurekAlert! 韓国 概要 韓国科学技術院（KAIST）の研究チームが、電気信号のみで光学機能を再構成できるメタサーフェスベースのミッド赤外線空間光変調器（SLM）を開発し、「宇宙センサー」の時代を拓く可能性を示しました。このシリコンフォトニクスで製... -
上海のチップ新興企業が3DスタッキングでNvidia GPUの支配に挑む、サブ1nmとナノインプリント技術を開発
Bloomberg 中国 概要 上海のチップスタートアップ企業が、3Dスタッキング技術とナノインプリント技術を駆使してNvidiaのGPU市場支配に挑んでいます。上海原子技術は、2026年1月にサブ1ナノメートルプロセスを目指すパイロットラインを稼働させ、2030年まで... -
Microchip Technology、宇宙用途向け放射線耐性マイクロコントローラを発表、高信頼性ミッションに貢献
Microchip Technology Product Announcement アメリカ 概要 Microchip Technologyが、宇宙環境の過酷な放射線に耐える新しい放射線耐性マイクロコントローラを発表しました。このデバイスは、高信頼性が求められる衛星の姿勢制御システムやペイロード制御... -
Microchip Technology、航空宇宙向け耐放射線6出力プログラマブルクロックジェネレータ「DSA504RT」を発表
Simply Wall St アメリカ 概要 Microchip Technologyは、航空宇宙および防衛タイミングアプリケーション向けに特化した耐放射線6出力プログラマブルクロックジェネレータ「DSA504RT」を発表しました。この新製品は、同社の高信頼性宇宙エレクトロニクスエ... -
低軌道衛星用耐放射線SerDesチップ市場、Microchip Technologyなどが牽引し需要加速
Semiconductor Insight グローバル 概要 本記事はSemiconductor Insightが発行した市場調査レポートの概要紹介です。低軌道（LEO）衛星コンステレーション市場では、過酷な放射線環境下でデータの整合性と運用寿命を確保するため、耐放射線SerDesチップの... -
中国スタートアップPrinanoがナノインプリントリソグラフィで8インチフォトニックチップ量産を主張：コスト90%削減か
New Market Pitch 中国 概要 New Market Pitchの市場分析によると、中国のスタートアップ企業Prinanoが、従来のDUVリソグラフィを使用せず、ナノインプリントリソグラフィ（NIL）を用いて8インチフォトニックチップウェーハの量産に成功したと主張していま... -
ナノインプリントリソグラフィ、10nm以下の次世代チップ製造で高解像度・低コスト・高スループットを実現
ChipXpert 国際 概要 ナノインプリントリソグラフィ（NIL）は、10nm以下の特徴サイズを持つ次世代半導体チップ製造において、高解像度、低コスト、高スループットを可能にする先進的なパターニング技術として注目されています。この技術は物理的にパターン... -
Microchip Technology、航空宇宙・防衛向け耐放射線6出力クロックジェネレーター「DSA504RT」を発表
Microchip Technology アメリカ 概要 Microchip Technologyは、航空宇宙および防衛アプリケーション向けに特別設計された耐放射線6出力プログラマブルクロックジェネレーター「DSA504RT」を発表しました。この新製品は、単一のマスターソースから複数のク... -
中国Prinanoがフォトニックチップ向けナノインプリント露光装置で8インチウェハー量産を実証、DUV比10分の1のコストでCanonの優位性に挑戦
複数の報道機関 (香港NTI、Semiconductor Engineering、Loano via YouTube) 中国 概要 中国のスタートアップPrinano Technologyが開発した真空空気浮上式ウェハーレベル・ナノインプリント露光装置「PL-AS」が、8インチフォトニックチップウェハーの量産検... -
Applied Materials、3Dチップスケーリング向けALDおよび選択的エッチング新システムを発表
Stock Titan (Company Press Release) アメリカ 概要 Applied Materialsは、3Dチップスケーリング技術を進化させるための新しい成膜（Centris Spectral SiN ALD）および選択的エッチングシステムを発表しました。Centris Spectral SiN ALDシステムは、高ア... -
サムスン電子、VLSIシンポジウムで業界最小の3D積層FET発表：AI・HPC向け性能・電力効率を大幅向上
MK 韓国 概要 サムスン電子は、2026年のVLSIシンポジウムにおいて、業界最小となる「3D積層FET」技術の研究成果を発表し、1,000を超える提出論文の中からベストペーパーに選出されました。この革新的なアーキテクチャは、従来の平面配置から上下にトランジ... -
キヤノン、500億円投じ宇都宮に2nm対応NIL工場建設、ASMLのEUVに挑戦
Move Silicon 日本 概要 キヤノンは、ナノインプリントリソグラフィ (NIL) 技術をASMLのEUVリソグラフィに対する強力な代替技術として推進するため、500億円を投じて宇都宮に新たな半導体製造装置工場を建設します。この新工場は2025年9月に稼働を開始し、... -
EVG、200nmピッチのウェハーハイブリッドボンディングと40nm以下の高精度オーバーレイを達成し、量子技術スケーリングでSALと提携
Distill Intelligence オーストリア 概要 EV Group (EVG)は、最先端のウェハー・ツー・ウェハーハイブリッドボンディング技術において、200nmピッチと40nm以下の高精度オーバーレイを実証する主要な技術的マイルストーンを達成しました。これにより、imec... -
中国Prinanoが独自のナノインプリント技術でASML製装置不要の8インチフォトニックチップ量産に成功、コスト10分の1、10nm以下解像度で半導体輸出規制を回避
South China Morning Post 中国 概要 中国のスタートアップPrinanoは、独自のPL-AS真空エアクッションナノインプリントリソグラフィ（NIL）装置を用いることで、オランダASML社製の高価なDUVリソグラフィ装置を必要とせずに、8インチシリコンウェハー上で... -
PatSnapレポート「ウェアラブルセンサーのチップ埋め込みにおけるナノ複合材料の選択方法」
PatSnap Eureka 不明 概要 本記事はPatSnap Eurekaが発行した市場調査レポートの概要紹介です。このレポートは、ウェアラブルセンサーのチップ埋め込みにおけるナノ複合材料の利用に焦点を当てています。ポリマーベースのナノ複合材料が、ナノスケールフィ... -
モナシュ大学が光の「バレー」自由度を制御する光駆動チップを開発、AIと量子コンピューティングを加速
ScienceDaily オーストラリア 概要 モナシュ大学の科学者たちは、原子的に薄い材料とナノスケール構造を用いて光の「バレー」自由度というユニークな量子特性を制御する、光ベースの情報を生成、操縦、読み取りを全て1つのデバイスで行える小型チップを開... -
ウェアラブルセンサーのチップ埋め込み向けナノ複合材料、機械的・熱的・バリア特性を向上させ航空宇宙・自動車・電子機器への応用が加速
PatSnap Eureka 不明 概要 ウェアラブルセンサーのチップ埋め込みにおいて、ポリマーベースのナノ複合材料が機械的、熱的、バリア特性を向上させることで、航空宇宙、自動車、電子機器分野での応用が期待されている。特に、カーボンナノチューブ（CNT）強... -
プロセッサ製造における次世代技術：ナノインプリントと自己組織化の役割
Alibaba.com 中国 概要 プロセッサ製造は、ナノスケールの物理的・化学的操作を伴う複雑なプロセスであり、極端紫外線（EUV）リソグラフィが主要技術として確立されています。一方で、ナノインプリント（NIL）やディレクテッド・セルフアセンブリ（DSA）と...
