ゲート– tag –
-
台湾NYCUとTSMC、原子レベルで0.42ナノメートル半導体界面を設計し、トランジスタ性能を画期的に向上
ScienceDaily 台湾 概要 台湾の国立陽明交通大学（NYCU）とTSMC企業研究部門は、原子レベルで極薄半導体の界面を設計することで、0.42ナノメートルという画期的なトランジスタ性能を達成しました。この技術は、半導体と絶縁層の原子界面を精密に制御し、電... -
IMEC、TSMC、Intel、Samsungが2D半導体トランジスタでシリコンの壁を越えムーアの法則を維持へ
Internet Pros アメリカ 概要 シリコントランジスタがスケーリングの限界に達する中、IMEC、TSMC、Intel、Samsungといった主要企業は、次世代チップ向けに原子レベルの薄さを持つ2D半導体へと目を向けています。硫化モリブデン（MoS2）などの2D材料は、数... -
Applied Materials、3Dチップスケーリング向けALDおよび選択的エッチング新システムを発表
Stock Titan (Company Press Release) アメリカ 概要 Applied Materialsは、3Dチップスケーリング技術を進化させるための新しい成膜（Centris Spectral SiN ALD）および選択的エッチングシステムを発表しました。Centris Spectral SiN ALDシステムは、高ア... -
サムスン電子、VLSIシンポジウムで業界最小の3D積層FET発表：AI・HPC向け性能・電力効率を大幅向上
MK 韓国 概要 サムスン電子は、2026年のVLSIシンポジウムにおいて、業界最小となる「3D積層FET」技術の研究成果を発表し、1,000を超える提出論文の中からベストペーパーに選出されました。この革新的なアーキテクチャは、従来の平面配置から上下にトランジ... -
シリコンを超越するコンピューティングの未来：カーボンナノチューブの役割
Nanotechnology Perceptions オランダ 概要 カーボンナノチューブ（CNT）は、シリコンに続く次世代ロジックデバイスの主要候補として浮上しています。その理由は、1µmを超える平均自由行程を持つ準弾道輸送による非常に高いキャリア速度、カイラリティに依... -
IMF予測：台湾、ナノファブリケーション技術主導の半導体産業が経済成長を牽引し韓国の一人当たりGDPを上回る
概要 国際通貨基金（IMF）は、台湾の一人当たりGDPが韓国を上回ると予測しており、その主要な要因として同国の半導体産業が牽引する経済成長を挙げている。特に、台湾が3ナノメートルプロセスといった先端ノード技術の開発と量産において世界をリードして...
1