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材料科学のALD/ALEプロセスを標準化するJSONスキーマ公開、半導体産業のプロセス開発加速へ
Cool Papers 不明 概要 材料科学分野における原子層堆積（ALD）および原子層エッチング（ALE）の実験・シミュレーションプロセスを標準化する4つのドメイン専門家レビュー済みJSONスキーマが公開されました。これらのスキーマは、材料、プロセス条件、構成... -
ACS Publications、完全に印刷された単層MXene/AgNW/PVP複合アレイを開発し、構造的に分離されたデュアルモード触覚知覚を実現
ACS Publications アメリカ 概要 ACS Publicationsに掲載された研究では、完全に印刷された単層MXene/銀ナノワイヤー（AgNW）/PVP複合アレイが、構造的に分離されたデュアルモード触覚知覚のために開発されました。この革新的な設計は、追加の温度センシン... -
ライス大学、わずか30秒でMXeneを製造する超高速ガス相エッチングプロセスを開発し、毒性廃棄物を削減
Electronics Online オーストラリア 概要 ライス大学の研究チームは、MXeneを製造するための超高速ガス相エッチングプロセスを開発しました。この革新的な手法は、従来の液相化学エッチングが数時間かかるのに対し、わずか30秒以内にMXeneの合成を完了させ... -
AVSが原子層堆積（ALD）およびエッチング（ALE）に関する国際会議をフロリダ州タンパで開催、半導体応用に焦点
AVS アメリカ 概要 AVSは、第26回原子層堆積（ALD 2026）国際会議と第13回国際原子層エッチングワークショップ（ALE 2026）をフロリダ州タンパで併催します。この会議は、薄膜の原子層制御成膜と原子層エッチングの最先端科学技術に特化しており、半導体デ... -
米国半導体製造装置市場、次世代リソグラフィが牽引：Canon NIL、ASML High-NA EUV、Applied Materials エッチング技術が進化
openPR.com アメリカ 概要 本記事は、公開されているマーケットリサーチレポートの概要紹介です。米国半導体製造装置市場は、Canonのナノインプリントリソグラフィ（NIL）、ASMLのサブ2nm対応High-NA EUVプラットフォーム、Applied MaterialsのSym3 Magnum... -
Rapidusが2nm半導体製造で日本産業エコシステムを強化、AIチップ量産を2027年目標
DataM Intelligence 国際 概要 日本のRapidusは、政府と民間資金の支援を受け、2nmプロセスによる先進半導体製造を日本国内に確立し、AIチップの量産を2027年までに目指しています。この国家プロジェクトは、露光、堆積、エッチング、クリーニング、検査、... -
レゾナック、2026年中に徳山工場で半導体向け高純度フッ化水素ガス生産開始、国内供給体制を強化
Resonac (Official Press Release) / IBTimes JP 日本 概要 レゾナックは、2026年中に山口県周南市の徳山工場で半導体向け高純度フッ化水素（HF）ガスの生産を開始すると発表しました。これにより、川崎工場に次ぐ国内2番目の生産拠点となり、先進エッチン... -
Lam Research、AI需要で先端パッケージング収益が2026年に50%増を予測、「静かなるAIシャベル売り」として注目
XTB.com アメリカ 概要 半導体製造装置大手Lam Researchは、AIアクセラレーター、高帯域幅メモリ（HBM）、チップレットベースのアーキテクチャからの需要に牽引され、2026年の先端パッケージング関連収益が50%以上増加すると予測しました。同社経営陣は先... -
Applied Materials、3Dチップスケーリング向けALDおよび選択的エッチング新システムを発表
Stock Titan (Company Press Release) アメリカ 概要 Applied Materialsは、3Dチップスケーリング技術を進化させるための新しい成膜（Centris Spectral SiN ALD）および選択的エッチングシステムを発表しました。Centris Spectral SiN ALDシステムは、高ア... -
半導体製造の最先端技術：原子層堆積（ALD）と原子層エッチング（ALE）が次世代デバイスの微細化と性能向上を牽引
ELE Times インド 概要 半導体製造における原子層堆積（ALD）や原子層エッチング（ALE）といったナノスケールプロセスが、次世代半導体デバイスの微細化と性能向上に不可欠であることが強調された。これらの技術は、ムーアの法則を超えた進歩を推進し、新... -
TSMCのCoWoS容量がAIチップの成長を阻む主要ボトルネックに：2026年末までに月産12万枚へ増強も需要超過が継続
backplane 台湾 概要 TSMCのCoWoSパッケージング容量が、AIチップの進化を阻む最も深刻なボトルネックとして浮上しています。同社は2024年後半の月産約35,000ウェハーから2026年末までに月産120,000～140,000ウェハーへと生産能力を約4倍に拡大しています... -
ブロック共重合体のナノインプリント指向性自己組織化によるサブ10nmナノ加工技術
National Open Access Monitor, Ireland アイルランド 概要 この研究は、ブロック共重合体（BCP）のナノインプリント指向性自己組織化（DSA）を利用して、サブ10nmレベルのナノ加工を実現する技術を実証しています。この手法では、低コストな光学リソグラ... -
AI半導体の発熱問題解決へ：チップレット・3D積層を支える日本の精密技術
概要 2026年、AI需要の爆発的な増加により、データセンターは「発熱・電力・密度」という物理的限界に直面しており、その解決策として「チップレット」と「3D積層」技術が注目されています。日本の企業は、この分野で世界をリードする精密技術を提供してお...
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