主要成果
Samsung Electronicsは、AIデータセンターで顕在化している電力消費増大とデータ転送ボトルネックの問題に対処するため、高帯域幅メモリ（HBM）、ロジックチップ、およびシリコンフォトニクス（SiPh）を単一の先進パッケージに統合する「2.xD」パッケージング技術を開発しています。この画期的なアプローチは、AIシステムの効率と性能を飛躍的に向上させる可能性を秘めています。
技術・臨床詳細
「2.xD」パッケージングは、パネルベースの再配線層（RDL）インターポーザを核として活用します。これにより、HBMとロジック、SiPhチップ間の配線密度とデータ転送効率が大幅に向上します。ボンディング技術もマイクロバンプからバンプレスハイブリッドボンディングへと進化させ、より微細で堅牢な接続を実現します。具体的には、この技術は、極めて高い帯域幅と低い遅延を要求するAIアクセラレータやサーバーCPUにおいて、チップ間のデータ転送速度を最大化し、同時に消費電力を最小限に抑えることを目指しています。Nano Korea 2026フォーラムで発表されたこの技術では、微細粒子の制御や基板の反りといった高度な製造課題への対応が不可欠であり、Samsungはその解決に注力しています。
背景・業界文脈
AIモデルの複雑化とデータ量の爆発的な増加に伴い、データセンターにおける半導体チップの性能限界と電力消費が深刻な問題となっています。従来のパッケージング技術では、チップ間のデータ伝送距離が長くなり、信号遅延や電力損失が避けられませんでした。このため、HBM、ロジック、光通信デバイスといった異なる機能を持つチップを物理的に近接させ、より効率的に統合する先進パッケージングの需要が高まっています。Samsungは、メモリ、ファウンドリ（ロジック）、およびシリコンフォトニクスという独自の「トリプルプレイ」ポートフォリオを持つことで、これらの異なるコンポーネントを内部で共同設計し、最適化できるという強みを持っています。
今後の展望
Samsungの「2.xD」パッケージング技術は、次世代AIコンピューティングインフラの設計に大きな影響を与えるでしょう。HBMとロジックチップに加え、光信号によるデータ伝送を可能にするシリコンフォトニクスを直接統合することで、電気信号の限界を超える超高速・低消費電力なシステムが実現可能になります。これは、AIデータセンターの消費電力削減と計算能力の大幅な向上に直結し、将来のAI発展を加速する鍵となります。Samsungは、この技術を通じて、NVIDIAやBroadcomがTSMCと協業して進めるコパッケージドオプティクス（CPO）技術に対抗し、AIパッケージング市場における主導権を確立することを目指しています。
元記事: https://www.digitimes.com/news/a20260713VL223/samsung-hbm-optics-siph-packaging-chips.html
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