新技術・技術紹介– category –
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新技術・技術紹介
PsiQuantum、ブルックヘブン国立研究所と提携し量子アプリ開発加速へ — シリコンフォトニクスと「Omega」チップセット製造を強化
PsiQuantum アメリカ 概要 PsiQuantumはブルックヘブン国立研究所との提携を発表し、Constructソフトウェアツールを用いた量子アプリケーション開発を加速します。この協業は、同社が推進するフォールトトレラント量子コンピューティングのためのシリコン... -
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高純度線形偏光をオンチップで提供するコンパクトなBICレーザーが開発され、光コンピューティングと量子フォトニクスを加速
Photonics Spectra アメリカ 概要 高純度で線形偏光の光を直接オンチップで供給できるコンパクトなBIC(Bound States in the Continuum)レーザーが開発されました。この革新的なオンチップレーザー技術は、集積フォトニクスにとって画期的な進歩であり、... -
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Optalysys、データ移動中に計算を実行するフォトニックハードウェアを実証しAIおよび暗号化ワークロードのボトルネックを解消
Quantum Zeitgeist イギリス 概要 Optalysysは、データがストレージから移動している間に直接計算を実行できる革新的なフォトニックハードウェアを実証しました。この「in-transit計算」モデルは、従来のコンピューティングシステムにおけるデータ移動のボ... -
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imec、SPIE Optics and Photonics 2026でSWIRセンシングと散乱補償イメージング向け集積フォトニクス研究を発表
imec ベルギー 概要 ベルギーの研究機関imecは、SPIE Optics and Photonics 2026において、集積フォトニクスに関する最新の研究成果を発表しました。Gökhan Kara氏はCMOS互換のSWIR(短波長赤外)スペクトルセンシングプラットフォームを、Filip Milojkovi... -
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Socionext、Intel 18A-Pプロセス採用でSoCロードマップを拡張し次世代光電子デバイス統合を強化
Design And Reuse 日本 概要 SoC設計開発企業のSocionextは、Intelの先進的な18A-Pプロセス技術を採用することで、同社のSystem-on-Chip(SoC)ロードマップを大幅に拡張しました。この戦略的な動きは、次世代の光電子デバイスに求められる複雑な統合をサ... -
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半導体ファウンドリの役割が進化:高まるシリコンフォトニクス製造への影響
Design And Reuse アメリカ 概要 半導体ファウンドリの役割が従来のトランジスタ製造から、先進パッケージングや異種統合へと進化していることが報じられました。この変化は、AIや高性能コンピューティングの需要増大に対応するためのチップレットエコシス... -
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TSMC、1.6nm A16プロセス開発を完了し第4四半期に量産開始へ
Design And Reuse 台湾 概要 TSMCは、次世代半導体製造技術である1.6nm A16プロセスの開発を完了し、今年の第4四半期に量産を開始すると発表しました。この最先端プロセスは、高性能コンピューティング(HPC)やAIアプリケーションに不可欠な基盤技術であ... -
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上海交通大学、データセンター向け光・電子統合でFOWLP技術を開発し信号損失と相互接続密度を大幅改善
IMAPS 3D InCites Content Platform 中国 概要 上海交通大学の研究チームは、データセンターの高速データ転送における電子部品とフォトニック部品の統合課題を解決するため、ファンアウト・ウェハーレベル・パッケージング(FOWLP)技術を開発しました。こ... -
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800G/1.6T光モジュールの性能を支える高周波MLCCの進化:超小型・高信頼性コンデンサがAI時代の大容量通信を可能に
Barron (Barron MLCC) 国際 概要 最新の800Gおよび1.6T光モジュールにおいて、高周波積層セラミックコンデンサ(MLCC)が直面する技術的課題と、それらを解決するソリューションが詳細に解説されています。これらの超高速光モジュールは、限られた空間内で... -
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シリコン基板上に薄膜ニオブ酸リチウム結合共振器変調器をヘテロ集積し、チューナブルな周波数ビームスプリッティングを実現
arXiv 国際 概要 研究者らは、シリコン基板上に薄膜ニオブ酸リチウム(TFLN)結合共振器変調器をヘテロ集積することで、チューナブルな双方向周波数モード変換技術を開発しました。この新技術は、50/50の周波数ビームスプリッティングや、ほぼ完全な周波数... -
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TSMCが世界初の商用フォトニックプロセッサを製造と報道:電気より1000倍高速、100倍省エネを実現か
Facebook 台湾 概要 台湾のFacebook投稿で、TSMCが世界初の商用フォトニックプロセッサの製造に成功したと報じられました。この革新的なプロセッサは、電気ではなく光を使って計算処理を行い、既存のチップと比較して1000倍高速かつ100倍少ないエネルギー... -
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ソニーセミコンダクタソリューションズとTSMC、次世代イメージセンサー向け合弁事業設立で合意
Design And Reuse 日本・台湾 概要 ソニーセミコンダクタソリューションズと台湾積体電路製造(TSMC)は、次世代イメージセンサー技術の開発と製造に関する合弁事業の設立で合意しました。この戦略的提携は、両社の強みであるセンサー技術と半導体製造能力... -
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ORCA Computing、量子加速AIに向けたPTシリーズシステムのグローバル展開とトヨタ・NVIDIAとの提携を発表
Distill Intelligence イギリス 概要 ORCA Computingは、量子加速AI技術の推進に向け、PTシリーズシステムの世界展開と、トヨタおよびNVIDIAとの戦略的パートナーシップを発表しました。この展開は、同社の光量子コンピューティング技術を世界中の研究機関... -
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Xanaduとアルバータ大学、量子コンピューティングで次世代がん治療薬「光増感剤」の創薬を加速する提携を発表
StockTitan カナダ 概要 Xanadu Quantum Technologiesとアルバータ大学は、量子コンピューティングを活用して医薬品開発を加速するための戦略的パートナーシップを発表しました。この提携の主要な目標は、光線力学療法(PDT)で用いられる次世代の光増感剤... -
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IMAPSレポートがAIデータセンターの計算障壁突破にシリコンフォトニクス、CPO、先進パッケージングの重要性を強調
IMAPS 3D InCites Content Platform アメリカ 概要 IMAPS 3D InCitesは、大規模言語モデルの急成長がデータセンターに課す膨大な要求に対処するため、光インターコネクトが不可欠であると指摘するレポートを発表しました。特に、フォトニックダイと光ファ... -
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AtomicaがAIインフラの統合ボトルネック解消へ「AIフォトニック統合プラットフォーム」を発表
Chiplet Marketplace アメリカ 概要 Atomicaは、AIインフラにおける統合のボトルネックに対処するため、「AIフォトニック統合プラットフォーム」を発表しました。このプラットフォームは、シリコンおよびガラスインターポーザ、スルーシリコンおよびスルー... -
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Lightmatter CEO、Hot Interconnects 2026で高性能AI向け双方向DWDMを提唱:推論ワークロードのボトルネック解消へ
Lightmatter® アメリカ 概要 Lightmatterの創業者兼CEOであるNicholas Harris氏がHot Interconnects 2026で基調講演を行い、高性能AIトレーニングおよび推論の基盤として双方向DWDM(Bidirectional Dense Wavelength-Division Multiplexing)の重要性を強... -
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ソウル大学とハーバードSEASが光制御の新手法を発表:光バッファと超小型MUX開発
AllAboutCircuits.com 韓国、アメリカ、ドイツ 概要 ソウル大学とソウル市立大学の研究チームは、シリコンナイトライドプラットフォーム上で光の減速と遅延を可能にするフォトニック集積回路を設計し、光バッファの必要性に対応しました。ハーバード大学SE... -
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Max Planck科学者がシリコンナイトライドと石英のハイブリッドフォトニックチップを開発、光の色変換と非線形光技術を可能に
Max Planck Institute for the Science of Light ドイツ 概要 Max Planck科学者たちは、シリコンナイトライドリング共振器を石英(二酸化ケイ素)で囲んだハイブリッドフォトニックチップを開発しました。この革新的な設計により、光がコア材料とクラッド... -
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薄膜ニオブ酸リチウム(TFLN)ミケルソン干渉計変調器が、0.48 V·cmの過去最低VπLと120 Gbit/s PAM-4データ伝送を達成
Researching.cn 不明 概要 研究者らは、薄膜ニオブ酸リチウム(TFLN)プラットフォーム上にコンパクトな集中電極ミケルソン干渉計変調器(MIM)を開発し、半波長電圧長積(VπL)において0.48 V·cmという過去最低記録を達成しました。このMIMは、1.3 mm × 0...