主要成果: Creating Nano Technologies、SiCパワーモジュール向けに230℃耐熱エポキシ封止材「EME-G785シリーズ」を開発、業界最高水準の性能で用途を拡大
Creating Nano Technologies Inc.は、次世代パワー半導体である炭化ケイ素（SiC）パワーモジュール向けに、極めて高い耐熱性を持つエポキシ封止材「EME-G785シリーズ」の開発を発表しました。この革新的な材料は、エポキシ樹脂封止材としては業界最高水準となる230℃のガラス転移温度（Tg）を達成しており、過酷な高温動作環境下でも優れた電気的・機械的特性を維持します。これにより、SiCパワーモジュールの性能を最大限に引き出し、その応用分野を大幅に拡大することが期待されます。
技術・ビジネス詳細
- 業界最高水準の耐熱性: EME-G785シリーズは、従来の多くのエポキシ封止材が抱えていた耐熱性の課題を克服し、230℃という非常に高いTgを実現しました。この高い耐熱性は、SiCパワーモジュールのジャンクション温度上昇に対応し、長期的な信頼性を保証する上で不可欠です。
- 優れた物性維持: 高温環境下でも、電気絶縁性、機械的強度、耐湿性、耐熱サイクル性といった重要な物性を安定して維持します。これにより、パワーモジュールが過酷な使用条件に晒されても、性能劣化や故障のリスクを最小限に抑えることができます。
- はんだ接合プロセスへの適合性: この封止材は、パワーモジュールの組み立てにおいて、SiCチップとヒートシンクや焼結材料との接続に用いられるはんだ接合プロセス（通常200℃以上の温度で行われる）にも適合します。これにより、製造プロセスの柔軟性が高まり、歩留まり向上に貢献します。
- SiCパワーモジュールの高機能化: 高耐熱性封止材は、SiCパワーモジュールの高電力密度化、小型化、高信頼性化を促進し、電気自動車（EV）、産業用モーター駆動、再生可能エネルギーシステムなど、より広範な高効率アプリケーションへの適用を可能にします。
背景・業界文脈
SiCパワー半導体は、その優れた低損失性から、EVのインバータや産業機器、再生可能エネルギー分野での採用が急速に拡大しています。しかし、SiCデバイスはシリコン（Si）デバイスよりも高いジャンクション温度での動作が可能であるため、それに耐えうるパッケージング材料、特に封止材の開発が喫緊の課題でした。従来の封止材では、高温での劣化や信頼性低下が問題となっていました。
今後の展望
EME-G785シリーズのような革新的な高耐熱エポキシ封止材の登場は、SiCパワーモジュールの潜在能力を最大限に引き出し、設計の自由度を広げ、新たな市場機会を創出します。これにより、EVの航続距離延長や充電時間短縮、再生可能エネルギーシステムの効率向上など、社会全体のエネルギー効率改善に大きく貢献することが期待されます。日本の材料技術が、グローバルなパワーエレクトロニクス産業の発展を強力に牽引する一例となるでしょう。
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