American Institute of Physics– tag –
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新技術・技術紹介
第一原理シミュレーションとAIが次世代省エネルギーAIハードウェア共同設計を加速
Applied Physics Letters | AIP Publishing アメリカ 概要 予測的な第一原理シミュレーションは、次世代の省エネルギーAIシステム向けハードウェアの共同設計において極めて重要な役割を果たします。機械学習に基づく材料表現は、望ましい性能目標を満たす... -
新技術・技術紹介
機械学習が磁性機能性合金設計を革新:生成GNNと高スループットDFTで2D磁石を発見
AIP Advances アメリカ 概要 本記事は、機械学習(ML)を活用した磁性機能性合金(MFA)の設計における近年の進展を詳述しています。特に、Web of Scienceのデータが示す過去10年間の出版トレンドが、MLが磁気熱量、磁歪、磁気抵抗、形状記憶合金の設計に... -
新技術・技術紹介
AIP Publishing、液体振動エントロピー指標で経験的原子間ポテンシャルの精度を80%向上、MLIPsの体系的検証に新機軸
AIP Publishing アメリカ 概要 AIP Publishingの発表によると、経験的原子間ポテンシャルの開発と検証において、従来の限界を克服する新たな手法が提案されました。本研究は、液体の振動エントロピーなどの量を新たな指標として導入することで、異なるSi原... -
市場動向
卵白由来リゾチーム-PVA複合膜、フレキシブル圧電バイオセンサーを開発、ウェアラブル生体統合型エレクトロニクスへ
Applied Physics Letters | AIP Publishing アメリカ 概要 天然タンパク質であるリゾチーム(LSZ)をポリビニルアルコール(PVA)マトリックスに統合した、新しいフレキシブルで生体適合性の高い圧電バイオ複合膜が開発されました。この材料は、機械エネル... -
新技術・技術紹介
フェロ電 ScAlN層を用いたGaN HEMT、5G通信・レーダーシステム向けに高性能・低漏洩化を実現
Applied Physics Letters (AIP Publishing) 不明 概要 Applied Physics Letters誌に掲載された研究は、AlN-on-サファイア基板上にフェロ電Sc0.18Al0.82Nエピタキシャル層を導入することで、超薄型で完全に歪んだGaNチャネル高電子移動度トランジスタ(HEMT... -
新技術・技術紹介
革新的な六角形フィンで潜熱蓄熱システム効率13.25%向上:電子部品の熱管理に寄与
AIP Publishing (Journal of Applied Physics) 国際 概要 相変化材料(PCM)ベースの潜熱蓄熱(LHTES)システムの効率を向上させるため、革新的な六角形フィンの使用が提案され、その効果が数値シミュレーションで実証されました。シミュレーション結果は... -
新技術・技術紹介
ジョセフソン接合アレイが調整可能なメタマテリアルとして機能:マイクロ波共鳴を温度・電力で制御
Applied Physics Letters (AIP Publishing) アメリカ 概要 「Applied Physics Letters」誌に発表された研究は、約30,000個の結合された「メタ原子」からなる電気的に分離されたジョセフソン接合アレイが、調整可能なメタマテリアルとして機能することを実... -
市場動向
1万超の半導体・絶縁体データで機能的分類とXGBoostを組み合わせ、電子バンドギャップ予測精度を大幅向上
AIP Publishing アメリカ 概要 この研究は、1万を超える半導体および絶縁体の電子バンドギャップの機能的分類を機械学習モデルに組み込むことで、予測精度を大幅に向上させることを実証しました。Pythonパッケージを用いた記述子生成とハイブリッド特徴選... -
新技術・技術紹介
新規等方性メッセージパッシングML手法が外部ポテンシャルから電子構造と原子特性を高速モデリング
The Journal of Chemical Physics | AIP Publishing アメリカ 概要 新しい研究は、外部ポテンシャルの連続的な積を利用した等方性メッセージパッシングのためのスケーラブルな機械学習アプローチを実証し、電子構造と原子特性のモデリングを革新します。こ... -
新技術・技術紹介
パルスレーザー堆積法によるエピタキシャルBi₂O₂Se薄膜の量子振動(補足情報)
概要 本補足情報は、「パルスレーザー堆積法によって作製されたエピタキシャルBi₂O₂Se薄膜における量子振動」と題された主要論文の裏付けとなる詳細な実験データを提供する。資料には、主論文の視点を支持する補足的な図や表が含まれており、Bi₂O₂Se薄膜の... -
新技術・技術紹介
Si・Snドープβ-Ga₂O₃におけるドーパント依存欠陥状態とキャリア補償の微視的起源
概要 本補足資料は、ベータ型酸化ガリウム(β-Ga₂O₃)におけるシリコン(Si)およびスズ(Sn)ドーピングに起因する欠陥状態とキャリア補償の微視的起源を解析している。研究では、ドーパントが材料の電気的特性に及ぼす影響を明らかにするため、欠陥形成...
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