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国際チームがスパッタ耐性ALD酸化アルミニウム層で17%効率の半透明ペロブスカイト太陽電池を開発、タンデムセルで26%達成
pv magazine Global 不明 概要 国際研究チームが、原子層堆積（ALD）法によって形成されたスパッタリング耐性酸化アルミニウム層を基盤とする、17%の効率を誇る半透明ペロブスカイト太陽電池を開発しました。この革新的な層は、界面電荷再結合を効果的に抑... -
宇宙太陽電池の長寿命化へ：III-V族多接合セル、ペロブスカイト、改良シリコンPVが放射線耐性向上に貢献
Industry Today (Department of Energy) アメリカ 概要 宇宙太陽電池の寿命を延ばすための主要技術として、III-V族半導体を用いた多接合太陽電池が放射線耐性の高い材料として注目されています。さらに、保護コーティングやカバー材料の適用も不可欠であり... -
温州大学らが室温強磁性半導体コバルト酸化物薄膜のセンチメートル級成長に成功、キュリー温度157℃でスピントロニクス応用を加速
Spintronics-Info 中国、アメリカ、香港 概要 国際共同研究チームは、シリコン技術と直接互換性のあるセンチメートル級の室温強磁性半導体酸化物薄膜を成長させる新手法を開発しました。この薄膜は鉄をドープしたコバルト酸化物で、キュリー温度が最大157℃... -
Quobly、300mm産業用シリコンプロセス上で量子ビット読み出し・単一・2量子ビットゲートを単一チップで実現
Quantum Computing Report フランス 概要 シリコンスピン量子ビットハードウェア開発企業のQuoblyは、独自のQSOI®アーキテクチャ上で、量子ビット読み出し、単一量子ビットゲート、および2量子ビットゲートの単一チップ実行を達成しました。この量子処理ユ... -
ハーバード大、微細音波でダイヤモンドスピン量子ビットのコヒーレンス時間を3倍に延長し量子情報保護に成功
Digital Journal アメリカ 概要 ハーバード大学ジョン・A・ポールソン工学応用科学部の研究者らが、微細な音波（フォノン）を利用して量子情報を保護し、ダイヤモンドベースの量子ビットのコヒーレンス時間を約3倍に延長する画期的な成果を発表しました。... -
研究者らがシリコンスピン量子ビットのコヒーレンス時間を67マイクロ秒に延長、電気的干渉抑制で安定性向上
Quantum Zeitgeist アメリカ 概要 研究者らは、シリコンスピン量子ビットのコヒーレンス時間を67マイクロ秒まで延長することに成功した。この成果は、マイクロチップ上の部品配置を最適化し、電気的干渉によるデコヒーレンスを最小限に抑えることで達成さ... -
米中研究者が世界初のグラフェン半導体を開発、電子移動度シリコンの10倍で既存チップと互換
Iron Circuit (YouTube) アメリカ、中国 概要 ジョージア工科大学と天津大学の研究チームが、Nature誌（2024年1月）で発表された世界初の機能性グラフェン半導体の開発について言及されています。このグラフェン半導体は、電子移動度がシリコンの10倍とい... -
Quantum Motion、シリコン量子コンピューティングのスケーリング加速のためシリーズC追加資金を調達 — 米国展開も開始
Quantum Motion 英国 概要 シリコンスピンベース量子コンピューティングの英国リーダーであるQuantum Motionは、フォールトトレラント量子ハードウェアのスケーリングを加速するため、シリーズC資金調達ラウンドのセカンドクローズを発表しました。この追... -
La Luce Cristallina、量子コンピューティング向け0.5μmシリコンベース量子常誘電体チタン酸ストロンチウム・オン・インシュレータ（QP-STOI）ウェハプラットフォームを発表
Quantum Computing Report アメリカ 概要 La Luce Cristallinaは、量子コンピューティング、極低温電子機器、および非線形電気光学アーキテクチャ向けに設計された、0.5マイクロメートルシリコンベースの量子常誘電体チタン酸ストロンチウム・オン・インシ... -
Diraqとimec、300mmシリコンプラットフォームで製造されたシリコンスピン量子ビットが99%超のゲート忠実度を達成
Quantum Zeitgeist オーストラリア 概要 Diraqとimecは2025年にNature誌で、imecの既存の300ミリメートルプラットフォームで製造されたシリコンスピン量子ビットが、1および2量子ビットゲート操作で99%以上の忠実度、さらに状態準備および測定で99.9%の忠... -
EPC Space、次世代宇宙コンピューティング向けに超低オン抵抗・耐放射線eGaN FETを発表
Aerospace & Defence アメリカ 概要 EPC Spaceは、AIや高性能プロセッサを搭載する次世代宇宙コンピューティングシステム向けに、新しい15V、25V、40Vの耐放射線eGaN FETをプラスチック表面実装パッケージで発表しました。これらのデバイスは、超低オン抵... -
Donut Labの409 Wh/kgバッテリーテスト結果、既存Li-ionの範囲内で全固体電池の特筆すべきブレークスルーではないと指摘
Electrek アメリカ 概要 Donut Labがバッテリーラボテストで409 Wh/kgのエネルギー密度を達成したと主張していますが、これは既存の高性能リチウムイオン電池（例: Ampriusが販売するシリコン負極リチウムイオン電池の450 Wh/kg）の範囲内であると指摘され... -
ウィスコンシン大学、カーボンナノチューブトランジスタでシリコンを超える性能を達成しナノエレクトロニクスを加速
Facebook (University of Wisconsin-Madison, Science Advances) アメリカ 概要 ウィスコンシン大学マディソン校の研究者たちが、最先端のシリコントランジスタを上回る性能を持つカーボンナノチューブ（CNT）トランジスタの開発に成功しました。この成果... -
グラフェン活用で全固体電池製造の新特許公開：安全性・小型化・生産効率を追求
Justia Patents アメリカ 概要 グラフェン、硫黄、リンを含む正極、シリコンとリチウムを含む負極、そしてイオン伝導性材料を用いたセパレーターを組み立てる、液体電解質層を含まない全固体電池の製造方法に関する新特許が公開されました。この革新的な特... -
EPC Space、eGaN HEMTを用いた耐放射線性リニアレギュレータ技術を発表、宇宙飛行システムの軽量化と信頼性向上に貢献
EPC Space アメリカ 概要 EPC Spaceは、eGaN HEMTs（高電子移動度トランジスタ）を用いることで、電離放射線によるリニアレギュレータの劣化を緩和する技術を発表しました。eGaN HEMTsは、放射線に脆弱なゲート酸化物を持たないため、宇宙飛行システムにお... -
Caltechがゲルマノシリケート導波路でシリコンチップに光ファイバー級の低損失光経路を実現、量子技術に貢献
ScienceDaily (Caltech) アメリカ 概要 カリフォルニア工科大学の科学者らは、ナノスケールのゲルマノシリケート導波路を用いることで、シリコンチップ上に超低損失の光経路を開発し、可視光域で光ファイバーに匹敵する効率を達成しました。このブレークス... -
中国Silicon Quantum Chips、光子量子コンピューティング向けに1億元超のシリーズB資金調達を達成
Dealroom News 中国 概要 中国のスタートアップであるSilicon Quantum Chipsは、光子量子コンピューティングの研究開発を加速するため、シリーズBラウンドで1億元（約1480万ドル）以上の資金調達に成功しました。この資金は、1万ビット級の特殊用途光コン... -
台湾NYCUとTSMC、原子レベルで0.42ナノメートル半導体界面を設計し、トランジスタ性能を画期的に向上
ScienceDaily 台湾 概要 台湾の国立陽明交通大学（NYCU）とTSMC企業研究部門は、原子レベルで極薄半導体の界面を設計することで、0.42ナノメートルという画期的なトランジスタ性能を達成しました。この技術は、半導体と絶縁層の原子界面を精密に制御し、電... -
シリコン量子ドット機能化で抗がん剤チオグアニン送達システムを最適化
Frontiers in Molecular Biosciences スイス 概要 シリコン量子ドット（SiQD）が、高性能で可逆的、かつ標的化されたシリコンベースの薬物送達システム設計のための最適な戦略として評価された研究が報告されています。特に、-COOHおよび-OH基での機能化が... -
米国政府、国内バッテリーサプライチェーン強化に20億ドル追加投資：Sila Nanotechnologiesに14億ドル融資
Markets Insider アメリカ 概要 米国政府は、国内のバッテリーサプライチェーンを強化するため、新たに20億ドルの資金を投入することを発表しました。この巨額投資には、特にシリコンバッテリー開発企業Sila Nanotechnologiesへの14億ドルの国防総省融資が...
