NISTとUCSDが先進パッケージング用エポキシアンダーフィルの硬化挙動と熱耐久性を予測するモデリング技術を開発

Semiconductor Engineering アメリカ
概要
NISTおよびカリフォルニア大学サンディエゴ校(UCSD)の研究者らは、先進半導体パッケージングに用いられる高充填エポキシアンダーフィルの硬化挙動と熱耐久性を高精度で予測する技術論文を発表しました。このモデリング手法は、示差走査熱量測定(DSC)や熱重量分析(TGA)といった熱分析手法と拡散を組み合わせた速度論的モデルを用いて、材料の性能と信頼性を評価するものです。これにより、フリップチップやファインピッチ相互接続アーキテクチャの機械的完全性を高め、熱機械的応力を再分配し、はんだ接合の信頼性を向上させる重要な材料開発を加速させることが期待されます。
詳細

主要成果

NISTとカリフォルニア大学サンディエゴ校(UCSD)の研究チームは、先進半導体パッケージングで不可欠な高充填エポキシアンダーフィルの硬化挙動と熱耐久性を高精度で予測する革新的なモデリング技術を発表しました。この技術は、フリップチップやその他のファインピッチ相互接続アーキテクチャにおける機械的信頼性を大幅に向上させ、熱機械的応力の効率的な再分配を可能にします。

技術・臨床詳細

この新しいモデリングアプローチは、熱分析技術である示差走査熱量測定(DSC)と熱重量分析(TGA)のデータを統合し、拡散プロセスを組み込んだ速度論的モデルを構築しています。DSCは材料の硬化速度や反応熱を詳細に測定し、TGAは材料の熱分解挙動や耐熱性を評価します。これらの実験データを基に、研究者らはアンダーフィルの硬化プロセス中の反応速度論、および高温環境下での材料の安定性と劣化挙動を正確に予測するモデルを開発しました。このモデルは、アンダーフィルがはんだ接合部に加わる熱機械的応力をいかに効果的に緩和し、パッケージの寿命を通じて信頼性を維持するかを定量的に評価することを可能にします。これにより、特定のアプリケーション要件に合わせてアンダーフィル材料を最適化するための強力なツールが提供されます。

背景・業界文脈

先進半導体パッケージング、特にフリップチップや2.5D/3Dインテグレーションにおいて、アンダーフィル材料はチップと基板間のスペースを充填し、熱膨張係数(CTE)のミスマッチから生じる応力を緩和する上で極めて重要な役割を果たします。チップの微細化と集積度向上に伴い、これらの応力はデバイスの故障の主要な原因となり得ます。高充填エポキシアンダーフィルは、その高い充填材含有量によりCTEを調整し、機械的強度を高めることができますが、硬化プロセスの最適化と長期的な熱耐久性の確保が常に課題でした。NISTとUCSDのこの研究は、これらの課題を科学的に予測し、解決するための基盤を提供します。

今後の展望

この予測モデリング技術は、先進パッケージング材料の研究開発サイクルを大幅に短縮し、より高性能で信頼性の高い半導体デバイスの市場投入を加速させる可能性があります。材料メーカーは、試行錯誤の回数を減らし、ターゲットとする熱機械的特性を持つアンダーフィルを効率的に設計できるようになります。また、この技術は、次世代のAIチップや高性能コンピューティング(HPC)向けパッケージングにおける熱管理と信頼性設計の最適化に不可欠なツールとなるでしょう。半導体産業全体として、より堅牢で長寿命な電子デバイスの実現に貢献すると期待されます。

元記事: https://semiengineering.com/modeling-predicts-cure-and-thermal-endurance-of-advanced-packaging-underfill-nist-ucsd-et-al/

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