TSMC、3ナノ増産へ追加投資、台湾・米国・日本で新工場

2026年5月3日

概要

TSMCは、AI需要の中長期的な拡大に対応するため、3nmプロセスへの投資を拡大し、台湾、米国、日本で新たな生産能力を整備する方針を明らかにした。2026年の設備投資計画は520億〜560億ドルで据え置かれ、今後3年間の投資は過去3年を上回る見込み。台湾・台南では3nm工場を新設し、HBM向けロジックベースダイも3nm需要の対象となる。

詳細

TSMCは2026年4月16日の決算説明会で、AI需要の中長期的な拡大に対応するため、3ナノメートル（nm）工程への投資を拡大し、台湾、米国、日本で新たな生産能力の整備を進める方針を表明した。2026年の設備投資計画は520億〜560億ドルで据え置かれ、今後3年間の設備投資は過去3年間の累計1010億ドルを上回るとの見通しを示した。台湾・台南科学園区では3nm工場を新設し、2027年上期の量産開始を見込んでいる。また、高帯域幅メモリー（HBM）向けロジックベースダイも3nm需要の対象に含まれると説明された。2nmプロセスについては、2025年10〜12月期に量産を開始し、新竹と高雄の複数工場で立ち上げを進めている。この大規模な投資は、AI半導体市場の急成長を背景に、TSMCがその主導的地位をさらに強固にするための戦略的な動きであり、グローバルな生産体制の強化を通じて、顧客の多様なニーズに応えることを目指している。