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EPC Space、次世代宇宙コンピューティング向けに超低オン抵抗・耐放射線eGaN FETを発表
Aerospace & Defence アメリカ 概要 EPC Spaceは、AIや高性能プロセッサを搭載する次世代宇宙コンピューティングシステム向けに、新しい15V、25V、40Vの耐放射線eGaN FETをプラスチック表面実装パッケージで発表しました。これらのデバイスは、超低オン抵... -
EPC Space、eGaN HEMTを用いた耐放射線性リニアレギュレータ技術を発表、宇宙飛行システムの軽量化と信頼性向上に貢献
EPC Space アメリカ 概要 EPC Spaceは、eGaN HEMTs（高電子移動度トランジスタ）を用いることで、電離放射線によるリニアレギュレータの劣化を緩和する技術を発表しました。eGaN HEMTsは、放射線に脆弱なゲート酸化物を持たないため、宇宙飛行システムにお... -
EPC Spaceが宇宙船プロセッサ向けに耐放射線性GaNトランジスタ3種を発表、連続電流101Aを実現
IN Electronics & Design イギリス 概要 EPC Spaceは、宇宙船のプロセッサやアクセラレータ周辺の高電流電力変換に特化した、低電圧の耐放射線性GaNトランジスタ3種を発表しました。これらのGaNデバイスは、15V、25V、40V定格で101Aの連続電流に対応し、1M... -
EPC Space、宇宙コンピューティング向けに1Mrad超耐放射線性の新型eGaN FETs（15V/25V/40V）を発表、AI/HPCの電力密度向上に貢献
Power Electronics News アメリカ 概要 EPC Spaceは、次世代の宇宙コンピューティングシステム向けに、3種類の新しい耐放射線性eGaN（窒化ガリウム）パワー・トランジスタ（EPC7050PCSH、EPC7066PCSH、EPC7065PCSH）を発表しました。これらのデバイスは、... -
EPC Spaceが次世代宇宙コンピューティング向けに総電離線量1Mrad超の耐放射線性15V、25V、40V eGaN FETを発売
Semiconductor Today アメリカ 概要 EPC Space LLCは、次世代の宇宙コンピューティングシステム向けに設計された、3つの新しい耐放射線性eGaNパワートランジスタを発表しました。これらのデバイスは、15V、25V、40Vの定格電圧を持ち、超低オン抵抗、高電流...
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