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米国半導体製造装置市場、次世代リソグラフィが牽引：Canon NIL、ASML High-NA EUV、Applied Materials エッチング技術が進化
openPR.com アメリカ 概要 本記事は、公開されているマーケットリサーチレポートの概要紹介です。米国半導体製造装置市場は、Canonのナノインプリントリソグラフィ（NIL）、ASMLのサブ2nm対応High-NA EUVプラットフォーム、Applied MaterialsのSym3 Magnum... -
ナノインプリントリソグラフィ、10nm以下の次世代チップ製造で高解像度・低コスト・高スループットを実現
ChipXpert 国際 概要 ナノインプリントリソグラフィ（NIL）は、10nm以下の特徴サイズを持つ次世代半導体チップ製造において、高解像度、低コスト、高スループットを可能にする先進的なパターニング技術として注目されています。この技術は物理的にパターン... -
Canon、2030年度までに産業事業の営業利益率25%目標を設定、ナノインプリント技術の商業化に注力
Investing.com Canada (citing Nikkei online) 日本 概要 CanonのCFOである田中稔氏が、2030年度までに産業事業の営業利益率を2026年度の17.5%から25%に引き上げる目標を発表した。この目標達成の主要な柱は、ArF液浸露光装置の販売拡大とナノインプリント... -
中国Prinanoがフォトニックチップ向けナノインプリント露光装置で8インチウェハー量産を実証、DUV比10分の1のコストでCanonの優位性に挑戦
複数の報道機関 (香港NTI、Semiconductor Engineering、Loano via YouTube) 中国 概要 中国のスタートアップPrinano Technologyが開発した真空空気浮上式ウェハーレベル・ナノインプリント露光装置「PL-AS」が、8インチフォトニックチップウェハーの量産検... -
キヤノン、500億円投じ宇都宮に2nm対応NIL工場建設、ASMLのEUVに挑戦
Move Silicon 日本 概要 キヤノンは、ナノインプリントリソグラフィ (NIL) 技術をASMLのEUVリソグラフィに対する強力な代替技術として推進するため、500億円を投じて宇都宮に新たな半導体製造装置工場を建設します。この新工場は2025年9月に稼働を開始し、... -
キヤノンのナノインプリントリソグラフィロードマップ 2015-2026：J-FIL技術の進化
PatSnap シンガポール 概要 このPatSnapの記事は、キヤノンの2015年から2026年までのナノインプリントリソグラフィ（NIL）ロードマップを概説し、その中核技術であるJ-FIL（Jet and Flash Imprint Lithography）の詳細を説明しています。J-FILは波長による... -
キヤノン、ナノインプリント技術に大規模投資：日本新工場で先進チップ製造を標的
Move Silicon 日本 概要 キヤノンは、栃木県宇都宮市に500億円を投じてリソグラフィ装置の新工場を建設すると発表しました。この投資は、リソグラフィシステムの生産能力を3倍に高め、同社のナノインプリントリソグラフィ（NIL）技術をASMLのEUV技術に対抗... -
ナノインプリントリソグラフィはEUVにすぐに匹敵しないだろう：コストとスループットの現実
Bits&Chips オランダ 概要 この記事は、ナノインプリントリソグラフィ（NIL）が近い将来、最先端のチップ製造においてEUVリソグラフィと競合する可能性は低いと論じています。NILは低コストと低消費電力という利点を持つものの、マスクの耐久性や、大量生... -
ナノインプリントリソグラフィシステム市場レポート 2026年版：政府のインセンティブとパートナーシップが成長を牽引
PRDUA Research & Media Private Limited インド 概要 本記事はPRDUA Research & Media Private Limitedが発行した市場調査レポートの概要紹介です。このレポートは、2026年におけるナノインプリントリソグラフィ（NIL）システム市場の成長が、政府の...
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