ワイドバンドギャップ半導体– tag –
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InfineonとNASA、ナンシー・グレース・ローマン宇宙望遠鏡にコンポーネントレベルで耐放射線性を実現するパワー半導体を搭載
Electronics USA アメリカ 概要 Infineon Technologies AGとNASAは、ナンシー・グレース・ローマン宇宙望遠鏡に、コンポーネントレベルで放射線劣化に耐えるように設計された耐放射線性パワー半導体コンポーネントを搭載しました。この先進的なハードウェ... -
EPC Space、次世代宇宙コンピューティング向けに超低オン抵抗・耐放射線eGaN FETを発表
Aerospace & Defence アメリカ 概要 EPC Spaceは、AIや高性能プロセッサを搭載する次世代宇宙コンピューティングシステム向けに、新しい15V、25V、40Vの耐放射線eGaN FETをプラスチック表面実装パッケージで発表しました。これらのデバイスは、超低オン抵... -
EPC Space、eGaN HEMTを用いた耐放射線性リニアレギュレータ技術を発表、宇宙飛行システムの軽量化と信頼性向上に貢献
EPC Space アメリカ 概要 EPC Spaceは、eGaN HEMTs（高電子移動度トランジスタ）を用いることで、電離放射線によるリニアレギュレータの劣化を緩和する技術を発表しました。eGaN HEMTsは、放射線に脆弱なゲート酸化物を持たないため、宇宙飛行システムにお... -
EPC Spaceが宇宙船プロセッサ向けに耐放射線性GaNトランジスタ3種を発表、連続電流101Aを実現
IN Electronics & Design イギリス 概要 EPC Spaceは、宇宙船のプロセッサやアクセラレータ周辺の高電流電力変換に特化した、低電圧の耐放射線性GaNトランジスタ3種を発表しました。これらのGaNデバイスは、15V、25V、40V定格で101Aの連続電流に対応し、1M... -
英国Space Forge、米国進出の第一歩としてテキサスA&M大学システムと提携、半導体材料の地上製造・加工拠点を確立
Space Forge イギリス, アメリカ 概要 英国の先進材料企業Space Forgeは、テキサスA&M大学システムと戦略的な研究契約を締結し、米国における半導体材料製造および加工能力を確立する第一歩を踏み出しました。この提携は、まず地上での材料成長、特性... -
EPC Spaceが次世代宇宙コンピューティング向けに総電離線量1Mrad超の耐放射線性15V、25V、40V eGaN FETを発売
Semiconductor Today アメリカ 概要 EPC Space LLCは、次世代の宇宙コンピューティングシステム向けに設計された、3つの新しい耐放射線性eGaNパワートランジスタを発表しました。これらのデバイスは、15V、25V、40Vの定格電圧を持ち、超低オン抵抗、高電流... -
中国、世界初の軌道上400V級宇宙電力システム試験を天舟10号で成功裏に完了
Global Times 中国 概要 中国が開発した新世代の宇宙電力システムが、天舟10号貨物宇宙船で全ての軌道上試験を成功裏に完了し、世界で初めて軌道上で400Vバス電力システムが適用されたことを示しました。この技術は、有人月探査を含む主要な航空宇宙事業の... -
韓国KERI、50年以上稼働可能なSiCベースのベータボルタ電池を世界初実証
EurekAlert! 韓国 概要 韓国電気研究院（KERI）は、充電や交換なしで50年以上にわたり安定した電力を供給できる、炭化ケイ素（SiC）ベースのベータボルタ電池の国内初の本格実証に成功しました。この革新的な電池は、従来のシリコンよりも熱および放射線に... -
Planet Labs & Metals、微小重力下で先進材料・チタン合金・生体医療製品を製造する軌道上プラットフォームを発表
Planet Labs & Metals アメリカ 概要 Planet Labs & Metalsは、微小重力環境を活用し、低地球軌道およびそれ以遠で堅牢な商業経済を支援する軌道上製造プラットフォームを発表しました。 詳細 主要成果Planet Labs & Metalsは、低地球軌道（LEO）... -
Infineon、耐放射線100 krad(Si)対応の宇宙向けGaNドライバ「RIC70115」を発表、Si-MOSFETの限界を突破
Bisinfotech ドイツ 概要 Infineon Technologiesは、衛星および高信頼性宇宙アプリケーション向けに、耐放射線性の窒化ガリウム（GaN）高電子移動度トランジスタ（HEMT）ドライバ「RIC70115」を発表しました。この新製品は、総電離線量（TID）100 krad（Si... -
新型SiC MOSFET、広範囲の放射線量下で高い耐性維持し深宇宙探査の電力システムへ貢献
ECS Journal of Solid State Science and Technology (Preprint) 国際 概要 宇宙船の電力システム向けに開発された新型炭化ケイ素（SiC）MOSFETが、広範囲の放射線量において従来のシリコンベースデバイスよりも高い耐性を維持し、安定した動作を示すこと... -
GaN電力増幅器、シミュレートされた宇宙放射線環境下でSiデバイスを凌ぐ優れた耐性実証
IEEE Transactions on Nuclear Science (Conference Proceedings - July 2026) 国際 概要 宇宙用途向けに開発された窒化ガリウム（GaN）ベースの電力増幅器が、シミュレートされた高エネルギープロトンおよび重イオン放射線環境下で、従来のシリコン（Si）... -
DARPA、深海・宇宙向けラジオボルタイックセル開発プログラム「Rads to Watts」に7プロジェクトを選定
American Nuclear Society アメリカ 概要 DARPAは、深海や宇宙といった極限環境で長期的な電力を供給するラジオボルタイックセルを設計する「Rads to Watts」プログラムに、7つの革新的なプロジェクトを選定しました。このプログラムは、放射性崩壊エネル... -
Space Forge、微小重力活用した高純度半導体の「インスペース・グロース」技術でSWaP改善とデバイス信頼性向上へ
Space Forge イギリス 概要 Space Forgeは、微小重力環境が材料製造における欠陥を排除する能力を活用し、高純度半導体を「インスペース・グロース」技術で製造することに注力しています。微小重力下では地球上での製造に見られる重力による対流や沈降が排... -
DARPA、ワイドバンドギャップ半導体GaN/SiCを活用し、効率85%超の耐放射線宇宙電力変換システム開発を推進
Strategic Market Research アメリカ 概要 DARPAの宇宙電力変換電子機器（SPCE）プログラムは、従来の宇宙向け電力システムの効率性課題に対処し、85%を超える高効率かつ耐放射線性の電力変換システム開発を推進しています。特に窒化ガリウム（GaN）や炭化... -
Vanderbilt大学、DARPA助成金で宇宙データセンター向け耐放射線ワイドバンドギャップ電力デバイスを開発
Vanderbilt University アメリカ 概要 Vanderbilt大学のMona Ebrish助教授は、国防高等研究計画局（DARPA）からの助成金を受け、宇宙空間の過酷な放射線環境に耐えうる、放射線に強いワイドバンドギャップベースの電力デバイスを開発しています。彼女の研...
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