バンプ– tag –
-
P Equity Researchが先進半導体パッケージング技術を分析：2.5D・CoWoSにおけるアンダーフィルとモールドの役割を解明
P Equity Research グローバル 概要 P Equity Researchの記事は、2.5DおよびCoWoSアーキテクチャを含む先進半導体パッケージング技術を深く掘り下げ、プロセッサとメモリ層がインターポーザ上に搭載される際の接着・封止材の重要性を解説しています。特に... -
HBM供給不足、ボンディング装置の長期バックログと低歩留まりがボトルネック：2027年までAI需要を制約か
AI CERTs News アメリカ 概要 HBMスタックの製造は、スルーシリコンビア（TSV）と高精度なボンディング装置を必要とし、低歩留まり許容度が業界の課題となっています。限られたベンダーしかこれらの装置を製造できないため、HANMIはマルチレイヤーボンダー... -
Samsung、ハイブリッドボンディングHBMの量産開始を2029-2030年に延期、技術課題とNVIDIA次世代GPUに照準
TrendForce 韓国 概要 Samsung Electronicsは、次世代HBMおよびロジック半導体向けのハイブリッドボンディング技術の本格的な量産開始を、当初の計画より遅い2029年から2030年まで延期すると報じられています。同社は平沢キャンパスに約50台のダイツーウェ... -
HBM需給ひっ迫の真実：DRAMウェハと先進パッケージング・テストがボトルネック、Samsung・SK Hynix・Micronが競合
Industry Analysis 国際 概要 AIメモリの中核であるHBM（High Bandwidth Memory）は、DRAMウェハ製造と先進パッケージング・テスト能力の両方でボトルネックに直面しています。HBMは3D積層、TSV、マイクロバンプ、先進パッケージング技術を駆使して高帯域... -
Kynix、HBM4向けハイブリッド銅ボンディングが熱性能を20%以上向上させAI負荷時のクロック速度維持に貢献と解説
Kynix 中国 概要 Kynixは、HBM4（高帯域幅メモリ4）向けにハイブリッド銅ボンディング（HCB）技術が熱性能を20%以上向上させると解説しています。この技術は、はんだバンプとアンダーフィル材料を排除し、銅同士を直接接続することで熱抵抗を大幅に低減し... -
Samsung、HBM4E向けハイブリッド銅ボンディングがパッケージ高さを15%以上削減し熱特性を改善と発表
Sammy Fans 韓国 概要 Samsungは、HBM4Eパッケージング戦略に関する研究を発表し、従来のThermo-Compression Bonding (TCB)に比べてアンダーフィル材料を排除するハイブリッド銅ボンディング（HCB）が熱的に優れていることを強調しました。HCBはホットスポ... -
ECTC 2026でCoWoS-R反り対策、IBM DBrM、ナノ結晶ダイヤモンドCu/Snマイクロバンプが発表され先進パッケージング技術の進展が明らかに
SemiAnalysis アメリカ 概要 ECTC 2026では、CoWoS-R構造の反り管理におけるアンダーフィルおよびシーラント材料の進歩が発表されました。また、IBMのダイエッジ接着技術を用いた「Direct Bridge Multi-die (DBrM)」や、3Dスタックでの熱伝導性向上のため... -
Apple次世代M5 Ultraチップ、TSMCのN3Pプロセスと高密度パッケージング技術SoIC-mHを採用か
TrendForce 台湾 概要 Appleは、WWDC（世界開発者会議）で発表予定の次世代M5 Ultraチップにおいて、TSMCのN3Pプロセスノードを採用する可能性が高いと報じられています。さらに、このM5 Ultraチップには、TSMCの高度なパッケージング技術であるSoIC-mH（S... -
ハイブリッドボンディング技術、3D集積化の新境地を開く：AIアクセラレーターとチップレット設計を推進
PatSnap イギリス 概要 ハイブリッドボンディングは、金属間（主にCu-Cu）と誘電体間（酸化物-酸化物）のボンディングを単一のインターフェースで組み合わせることで、はんだやマイクロバンプなしで電気的連続性と機械的完全性の両方を提供する革新的な3D... -
Camtek、先端パッケージング市場の高精度検査・計測ソリューションで歩留まりと効率を向上
Camtek イスラエル 概要 Camtekは、先端パッケージング市場の急速な成長と多様なパッケージタイプの複雑化に対応するため、高水準の検査・計測ソリューションを提供しています。同社の2Dおよび3D検査・計測プラットフォームは、サブミクロン欠陥検出、CAD... -
SKハイニックス、12層ハイブリッドボンディングHBMスタックを検証 − 次世代AIメモリ競争激化
専門メディア 韓国 概要 SKハイニックスは、高帯域幅メモリ（HBM）モジュール向けハイブリッドボンディングパッケージング技術の歩留まり改善を発表し、12層のHBMスタックをハイブリッドボンディングで検証済みであることを明らかにした。同社は量産適用に... -
Samsung Electronics、HBM4向けハイブリッドボンディング導入でリーダーシップ確立へ
専門メディア 韓国 概要 Samsung Electronicsは、自社の国内生産施設に第6世代HBM（HBM4）専用のハイブリッドボンディングラインを段階的に導入している。この戦略的投資は、HBM4製品の競争力強化を目的としており、同社は世界で初めてHBM4の量産出荷に成... -
Hanmi Semiconductor、次世代HBM向け第2世代ハイブリッドボンダーを発表
専門メディア 韓国 概要 Hanmi Semiconductorは、次世代HBM（高帯域幅メモリ）の多層スタック生産に不可欠な第2世代ハイブリッドボンダーのプロトタイプを年内に発表し、顧客との協業を開始すると発表した。同社は仁川市に約1000億ウォンを投じて専用工場... -
半導体アンダーフィル封止材のIP研究におけるデータ精度の重要性
概要 本記事は、高度な半導体パッケージングにおける信頼性のあるアンダーフィル封止材のランドスケープ構築において、正確なソースデータが極めて重要であることを強調している。分析に提出されたデータセットが、半導体パッケージング材料とは全く関係の... -
10µm以下の微細ピッチ向け次世代キャピラリアンダーフィル材料の開発
概要 Semiconductor Todayの記事は、10マイクロメートル以下の微細なはんだバンプピッチを持つフリップチップパッケージ向けに開発された新しいキャピラリアンダーフィル材料に焦点を当てている。この材料は、超低粘度と制御された流動特性を可能にするレ... -
AI・HBM需要が牽引するMUFモールドアンダーフィル市場、2031年に3.47億ドル予測
概要 市場調査レポートによると、MUF（Mold Underfill）モールドアンダーフィル材料の市場は、AIおよびHBM（高帯域幅メモリ）の需要に支えられ、2031年までに3億4700万ドルに達し、年平均成長率（CAGR）12.2%で拡大すると予測されています。MUFは、高性能... -
3D TSV先進パッケージングによる高容量DDR3マイクロモジュールの設計と実装
概要 本論文は、ウェハーレベルパッケージングと3D TSV（Through-Silicon Via）技術を用いた4層積層DDR3マイクロモジュールの設計手法とシステムレベル統合モデリングアプローチを提案しています。開発されたDDR3マイクロモジュールは、異種チップファンア... -
微細ピッチハイブリッドボンディング：3D集積時代の主要材料とプロセス課題
概要 この記事は、微細ピッチハイブリッドボンディングが次世代3D ICおよびチップレット統合の重要なイネーブラであることを深く掘り下げています。この技術は、誘電体間（通常SiO2-SiO2）と銅-銅（Cu-Cu）の直接接合を組み合わせることで、従来のマイクロ... -
ハンミ半導体、次世代HBM向けハイブリッドボンダー開発を加速
概要 ハンミ半導体は、2026年末までに次世代HBM生産向け第2世代ハイブリッドボンダーのプロトタイプを発表する計画です。同社は現在の熱圧縮（TC）ボンダー市場での優位性を維持しつつ、2029年頃に予想されるハイブリッドボンディングの本格量産に備えてい... -
Adeia：ハイブリッドボンディング技術でHBMチップ革新を推進
概要 Adeia Inc.は、従来のペイTV特許事業から転換し、次世代HBMチップに不可欠なハイブリッドボンディング技術の主要プレーヤーを目指しています。ムーアの法則の限界が近づく中、チップレットとヘテロジニアス統合が重要になり、高性能ボンディング技術...
1