主要成果
OFC 2026において、IntelはAIインフラストラクチャのスケールアップに不可欠となる光学演算インターコネクト(OCI)チップレットを発表しました。この革新的なOCIチップレットは、約5ピコジュール/ビット(pJ/b)という極めて高いエネルギー効率と、1テラビット/秒/ミリメートル(Tbps/mm)のショアライン密度を達成しています。これは、従来の800Gプラガブルモジュールが約21 pJ/bであるのと比較して、70%以上の大幅な電力削減を意味します。この成果は、インジウムリン(InP)レーザーをシリコンウェハーに直接接合するIntel独自のシリコンフォトニクス(SiPh)ヘテロジニアス集積技術によって可能となりました。
技術・臨床詳細
IntelのOCIチップレットは、データセンター内のAIアクセラレータやCPU間におけるデータ転送のボトルネックを解消するために設計されました。AIワークロードは膨大な量のデータを高速で処理する必要があり、それに伴う電力消費は大きな課題です。OCIチップレットは、光信号を用いてデータを伝送することで、電気信号の限界を超える性能を実現します。具体的には、5 pJ/bという低いエネルギー消費は、データセンター全体の運用コストと発熱を劇的に削減します。また、1 Tbps/mmというショアライン密度は、チップエッジからの非常に高い帯域幅密度を意味し、限られた物理スペース内で最大限のデータ転送能力を確保します。この技術の核心は、異種材料であるInPレーザーを標準的なシリコンフォトニクスプラットフォームに直接統合する「ヘテロジニアス集積」にあります。InPレーザーは、シリコンでは生成できない高品質の光を生成できるため、この統合により、高性能かつ高効率な光インターコネクトが実現されます。
背景・業界文脈
AIの爆発的な成長は、データセンターのコンピューティングとネットワークインフラに前例のない要求を突きつけています。特に、大規模なAIモデルのトレーニングには、多数の処理ユニット(GPU、AIアクセラレータなど)が連携し、ペタビット級のデータを効率的にやり取りする必要があります。従来の電気配線やプラガブル光モジュールでは、消費電力、遅延、物理的スペースの面で限界に達しつつあります。Intelは、長年にわたりシリコンフォトニクスの研究開発に投資しており、このOCIチップレットはその成果の一つです。ヘテロジニアス集積技術は、異なる材料の利点を組み合わせることで、単一材料では達成できない性能を実現する、半導体業界の重要なトレンドです。Intelのこのアプローチは、AI時代におけるデータセンターの「電力の壁」と「帯域幅の壁」を突破するための戦略的な一歩と位置づけられます。
今後の展望
IntelのOCIチップレットは、AIデータセンターの将来の設計と運用に大きな影響を与える可能性を秘めています。70%以上の電力削減は、AIインフラのTCO(総所有コスト)を劇的に改善し、持続可能な大規模AIコンピューティングを可能にします。この技術の普及により、より強力で効率的なAIアクセラレータの開発が促進され、生成AI、自動運転、科学計算など、幅広い分野でのイノベーションが加速するでしょう。今後の課題としては、ヘテロジニアス集積プロセスのさらなる量産化とコスト最適化、そしてOCIチップレットと他のデータセンターコンポーネントとのエコシステム構築が挙げられます。Intelがこの分野でリーダーシップを発揮することで、AI時代のコンピューティングの未来を形作ることが期待されます。
元記事: https://www.simpletechtrend.com/en/post/ofc2026-intel-oci-siph-chiplet-scaling-en
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