Hanmi Semiconductor、次世代HBM向け第2世代ハイブリッドボンダーを発表

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概要

Hanmi Semiconductorは、次世代HBM（高帯域幅メモリ）の多層スタック生産に不可欠な第2世代ハイブリッドボンダーのプロトタイプを年内に発表し、顧客との協業を開始すると発表した。同社は仁川市に約1000億ウォンを投じて専用工場を建設中で、2025年上半期の完成を目指す。このボンダーは、バンプレスでチップとウェーハの銅配線を直接接合することで、20層を超えるHBMスタッキングを可能にし、次世代HBM市場での主導的地位を確立する狙いだ。

詳細

背景

人工知能（AI）の進化は、膨大なデータを高速で処理する必要があるため、HBM（高帯域幅メモリ）に対する需要を飛躍的に高めています。HBMは、複数のDRAMダイを垂直に積層することで、データ帯域幅を劇的に向上させるメモリ技術ですが、その積層数を増やし、性能をさらに高めるためには、従来のマイクロバンプ接合に代わる、より微細で信頼性の高い接合技術が不可欠です。そこで注目されているのが、ハイブリッドボンディングと呼ばれる技術です。

主要内容

韓国の半導体装置メーカーであるHanmi Semiconductorは、次世代HBMの多層スタック製造に対応する第2世代ハイブリッドボンダーの開発を発表しました。同社は今年中にプロトタイプを発表し、主要な顧客との共同開発を進める計画です。さらに、量産体制の構築に向けて、仁川市の朱安国家産業団地に約1000億ウォン（約6760万ドル）を投じて、総面積14,570平方メートルに及ぶハイブリッドボンダー工場を建設中です。この新工場は2025年上半期に完成予定で、HBM向けハイブリッドボンダーの量産を担うことになります。第2世代ハイブリッドボンダーの最大の技術的特徴は、従来の金属バンプを使用せず、チップとウェーハの銅配線を直接接合（Cu-to-Cuボンディング）する点にあります。これにより、接続ピッチが大幅に微細化され、20層を超えるDRAMダイの積層が可能になります。これは、HBM3Eや将来のHBM4/HBM5といった次世代メモリにとって不可欠な技術革新です。

影響と展望

Hanmi Semiconductorによる第2世代ハイブリッドボンダーの開発と大規模な生産能力への投資は、HBM市場における技術革新と供給体制に大きな影響を与えるでしょう。同社はHBM向けのTCボンダー市場で約70%の世界シェアを持つリーダーであり、ハイブリッドボンダー市場でもその地位を確立しようとしています。ハイブリッドボンディング技術の進化は、HBMの性能向上（特にデータ転送速度と電力効率）と多層化を可能にし、AIアクセラレーターの性能をさらに引き上げます。HBMの需給逼迫が続く中、この先進的なボンディング装置の供給能力の確保は、HBMメーカーの競争力と製品投入スケジュールにとって極めて重要です。Hanmiの動きは、AI時代における後工程装置メーカーの役割の拡大と、韓国がHBMエコシステムにおいて引き続き重要なイノベーションハブであることを示しています。