SK hynix、次世代AI向け12層「HBM4E」サンプル出荷開始、性能・電力効率を大幅向上しNVIDIA CEOも注目

SK hynix Inc. 韓国

概要

SK hynixは、次世代AI向けDRAMである12層積層「HBM4E」のサンプルを主要顧客に出荷開始しました。このHBM4Eは、ピンあたり最大16Gbpsのデータ処理速度と、既存モデルから20%以上向上した電力効率を特徴とし、HBM4の11.7Gbpsを30%以上上回る高速化を実現しています。同社はAdvanced MR-MUF技術を採用し、48GB容量と17%低減された熱抵抗を実現。NVIDIAのジェンスン・フアンCEOがComputex 2026でSK hynixブースを訪問し、製品への期待を示しました。

詳細

主要成果

SK hynixは、次世代AIアクセラレーター向け超高性能メモリである12層積層「HBM4E」のサンプルを主要顧客に出荷開始したと発表しました。この革新的なメモリは、前世代HBM4と比較してデータ処理速度と電力効率を大幅に向上させ、AIチップの性能限界をさらに押し広げることを約束します。

技術・ビジネス詳細

• 今回出荷されたHBM4Eは、ピンあたり最大16Gbpsのデータ処理速度を誇り、これはHBM4の11.7Gbpsを30%以上高速化したものです。この高帯域幅は、AIモデルのトレーニングと推論における膨大なデータ処理要件を効率的に満たすために不可欠です。
• 電力効率も大幅に改善され、既存モデルと比較して20%以上の向上が実現されています。AIデータセンターの電力消費削減は喫緊の課題であり、この効率向上は運用コストと環境負荷の低減に大きく貢献します。
• SK hynixは、このHBM4E製品に独自のAdvanced MR-MUF（Mass Reflow-Molded Underfill）技術を採用しています。この技術は、高い積層数を実現しつつ、構造安定性と熱放散性を高める上で重要です。これにより、48GBという大容量と、HBM4と比較して17%低減された熱抵抗が実現されました。熱抵抗の低減は、高発熱を伴うAIチップ環境でのメモリチップの安定稼働に寄与します。
• TradingKeyの報道によると、SK hynixは当初の「後半期出荷」計画よりも前倒しでサンプル提供を開始しており、早ければ今月、遅くとも来月には出荷される見込みです。
• Computex 2026では、NVIDIAのジェンスン・フアンCEOがSK hynixのブースを訪問し、「もっと生産してください」とメッセージを残すなど、業界からのHBM4Eへの期待の高さが伺えます。
• このHBM4Eは、10ナノメートル級の第6世代（1c）DRAMを使用して製造されており、最先端のプロセス技術とパッケージング技術の融合が特徴です。

背景・業界文脈

AIの進化は、高性能な半導体チップと、それに伴う膨大なデータを高速で処理できるメモリへの需要を爆発的に高めています。高帯域幅メモリ（HBM）は、AIアクセラレーター（GPUなど）の性能を最大化するために不可欠なコンポーネントであり、その技術リーダーシップはAI時代の競争において極めて重要です。SK hynixは、HBM市場における長年のパイオニアであり、今回のHBM4Eサンプル出荷は、そのリーダーシップをさらに確固たるものにするものです。

今後の展望

SK hynixのHBM4Eは、次世代AIアクセラレーターの性能を飛躍的に向上させ、より大規模で複雑なAIモデルのトレーニングと推論を可能にするでしょう。サンプル出荷の開始は、AIチップメーカーが自社の製品ロードマップにHBM4Eを組み込む準備を進めていることを示しており、今後数年間でAIインフラの性能向上に大きく貢献すると期待されます。SK hynixの技術的優位性は、HBM市場における同社の支配的な地位を維持し、AI半導体市場全体の成長を加速させる上で不可欠な要素となるでしょう。

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