ImecとDiraq、300mm CMOS互換プロセスで8つのシリコンMOSスピン量子ビットのコヒーレント動作を実証

Embedded Computing Design ベルギー
概要
ImecとDiraqは、300mm CMOS互換ファウンドリプロセスを用いて製造された8つのシリコンMOSスピン量子ビットアレイのコヒーレントな動作と読み出しを初めて実証しました。この画期的な成果は、半導体産業の既存インフラ、サプライチェーン、製造専門知識を活用することで、大規模な量子プロセッサを製造するためのスケーラブルな道筋を示すものです。個々の量子ビットが電子スピン共鳴によって個別にアドレス指定され、各量子ビットのRamseyコヒーレンス時間は最大41 µs、Hahn-echo時間は最大1.31 msを達成しました。
詳細

主要成果

ベルギーの研究開発機関Imecとオーストラリアの量子コンピューティング企業Diraqは、完全にCMOS互換の300mm製造プラットフォームを使用し、8つのシリコンMOSスピン量子ビットのコヒーレントな動作と読み出しを初めて実証しました。この成果は、大規模な量子プロセッサを製造するためのスケーラブルな道筋を提供する点で極めて重要です。

技術・臨床詳細

今回のデモンストレーションでは、個々のシリコンMOSスピン量子ビットが電子スピン共鳴(ESR)を通じて個別にアドレス指定され、アレイは4つの2量子ビットユニットセルとして機能しました。この8量子ビットアレイのコヒーレンス特性は印象的で、Ramseyコヒーレンス時間は最大41マイクロ秒(µs)に達し、Hahn-echo時間は最大1.31ミリ秒(ms)という長時間のコヒーレンス維持を実現しました。Hahn-echoは、環境ノイズの影響を打ち消し、コヒーレンス時間を延長する手法です。これらの数値は、シリコンスピン量子ビットが計算において量子状態を十分に長く維持できることを示しており、耐障害性量子コンピューティングに必要な忠実度を実現するための重要な進展です。

この量子ビットは、既存の300mm CMOS製造プロセスで製造された点が最大の強みです。CMOS技術は、半導体産業で長年培われてきた高度な製造プロセスであり、チップの集積度と生産コストにおいて極めて効率的です。この互換性により、シリコンスピン量子ビットは、すでに確立されたサプライチェーンと製造専門知識を大規模量子コンピューティングに活用できる、最も有望な経路の一つと見なされています。

背景・業界文脈

量子コンピューティングの分野では、スケーラビリティと耐障害性の実現が最大の課題です。シリコンスピン量子ビットは、その半導体技術との親和性から、従来の半導体産業が築き上げてきた大規模集積回路の製造技術を直接活用できるという点で、超伝導やイオントラップといった他の量子ビット方式と一線を画します。ImecとDiraqの成果は、単一または少数の量子ビットの操作から、より複雑なアレイのコヒーレントな制御へと移行する重要なステップを示しており、シリコンベースの量子コンピュータが実用化に向けて大きく前進していることを物語っています。

今後の展望

300mm CMOS互換プロセスでの8量子ビットアレイのコヒーレント動作の実証は、シリコン量子コンピューティングが実用的な大規模化に向けて、研究開発からエンジニアリング段階へと移行していることを示しています。今後、この技術は、より多くの量子ビットを統合し、量子誤り訂正技術を組み込むことで、耐障害性量子コンピュータの実現を加速させるでしょう。既存の半導体エコシステムを活用できるため、シリコン量子チップは製造コストを抑えつつ、指数関数的に量子ビット数を増やす可能性があります。これにより、医療、材料科学、金融、人工知能など、幅広い分野で革新的な量子ソリューションが生まれることが期待されます。

元記事: https://embeddedcomputing.com/technology/processing/imec-and-diraq-demonstrate-first-coherent-operation-of-eight-silicon-mos-spin-qubits-fabricated-in-a-300mm-cmos-compatible-foundry-process

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