AVSが原子層堆積（ALD）およびエッチング（ALE）に関する国際会議をフロリダ州タンパで開催、半導体応用に焦点

2026年8月9日

AVS アメリカ

概要

AVSは、第26回原子層堆積（ALD 2026）国際会議と第13回国際原子層エッチングワークショップ（ALE 2026）をフロリダ州タンパで併催します。この会議は、薄膜の原子層制御成膜と原子層エッチングの最先端科学技術に特化しており、半導体デバイスコミュニティにとって特に重要な新しい機能と応用を深く掘り下げます。半導体産業におけるナノスケール材料の精密制御と機能性向上が主要テーマです。

詳細

主要成果

AVSは、2026年8月3日から6日にかけてフロリダ州タンパにて、第26回原子層堆積（ALD 2026）国際会議を、第13回国際原子層エッチングワークショップ（ALE 2026）と併催で開催します。この国際会議は、半導体デバイスの性能を左右する薄膜の原子層レベルでの精密な制御技術、すなわち原子層堆積と原子層エッチングの最新の科学技術動向に焦点を当てています。特に、半導体産業における新しい機能と応用に関心を持つ研究者やエンジニアにとって、重要な情報交換の場となります。

技術・イベント詳細

原子層堆積（ALD）: ALDは、ガス状の前駆体を交互に導入することで、基板表面に単原子層レベルで薄膜を形成する技術です。これにより、極めて均一でコンフォーマルな膜を、複雑な3次元構造の上にも成膜することが可能となります。半導体デバイスにおいては、ゲート絶縁膜、高誘電率膜、パッシベーション膜などの形成に不可欠であり、デバイスの小型化と性能向上に貢献しています。
原子層エッチング（ALE）: ALEはALDの逆プロセスであり、物質を原子層単位で精密に除去する技術です。選択的なエッチングや損傷の少ないプロセスが求められる次世代半導体製造において、微細加工の精度と制御性を高める上で極めて重要です。これにより、極限的な微細構造を持つ半導体デバイスの実現が可能となります。
併催ワークショップ: ALD 2026とALE 2026が併催されることで、成膜とエッチングの両側面から原子層制御技術の全体像が議論され、相乗効果が期待されます。最新の研究成果発表、技術デモンストレーション、専門家とのネットワーキング機会が提供されます。

背景・業界文脈

半導体産業は、ムーアの法則に代表されるように、デバイスの微細化と高性能化を絶えず追求してきました。この進歩を支える上で、ナノスケールでの材料制御は不可欠であり、ALDとALEはその最前線にある技術です。特に、3次元NANDフラッシュメモリやFinFETなどの複雑な構造を持つデバイスの製造では、原子層レベルでの膜厚制御や形状制御が求められます。この会議は、これらの高度な要求に応えるための最新の知見と解決策を提供するものです。

今後の展望

ALDとALE技術は、半導体分野にとどまらず、MEMS（微小電気機械システム）、光学デバイス、触媒、バイオセンサーなど、幅広い分野での応用が期待されています。特に、量子コンピューティングやニューロモルフィックコンピューティングといった次世代技術においては、原子レベルでの材料制御が不可欠となるため、これらの会議で議論される革新的な技術が、将来の技術発展の礎となるでしょう。フロリダ州タンパでの会議は、これらの分野の専門家が集結し、未来の技術を形作る上で重要な役割を果たすと見られています。

元記事: https://avs.org/about-avs/events-calendar/?event=5093

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