主要成果
Infineon Technologiesは、衛星および高信頼性宇宙アプリケーション向けに特化した、耐放射線性の窒化ガリウム（GaN）高電子移動度トランジスタ（HEMT）ドライバ「RIC70115」を発表しました。この革新的なドライバは、総電離線量（TID）100 krad（Si）という高い耐放射線性能を実現し、従来のシリコンベースのデバイスが持つ物理的限界を打破します。
技術・製品詳細
RIC70115は、低軌道（LEO）から深宇宙まで、多様な放射線環境での安定した動作を可能にする性能マージンを提供します。従来の宇宙用ハードウェアにおいて、耐放射線シリコンMOSFETは効率、電力密度、軽量化の要求に応える上で物理的な限界に達していました。これに対し、GaN HEMTは、より広いバンドギャップ、優れた電子移動度、そして特定の放射線メカニズムに対する固有の堅牢性を誇ります。特に、GaNは電荷を捕捉する酸化物層を持たない構造であるため、TIDに対して優れた固有耐性を持ち、100 krad（Si）を超える放射線曝露下でも最小限のパラメータ変化で動作を維持できます。
背景・業界文脈
現代の衛星ペイロードや深宇宙ミッションは、小型化、軽量化、高効率化、高密度化を強く要求しています。これらの要求を満たすためには、電源管理システムを含むエレクトロニクス部品の飛躍的な性能向上が不可欠です。耐放射線半導体市場自体が、衛星コンステレーションの拡大や深宇宙ミッション、防衛近代化プログラムによって急速に成長しており、新しい材料とアーキテクチャへの需要が高まっています。InfineonのGaNドライバは、GaNベースの電力アーキテクチャへの移行を支援することで、システム全体の外部部品数を削減し、結果としてシステム信頼性と電力効率を大幅に向上させることを目指しています。
今後の展望
RIC70115のような耐放射線GaNドライバの導入は、宇宙用電源システムの設計にパラダイムシフトをもたらす可能性があります。これにより、より小型で軽量、かつ高性能な衛星や宇宙船の開発が可能になり、打ち上げコストの削減やミッション期間の延長、データ処理能力の向上に貢献します。GaN技術は、SOI（Silicon-on-Insulator）などの他の先進的な耐放射線技術と並び、極限環境下でのエレクトロニクス性能を向上させる主要なトレンドの一つとして、今後の宇宙産業の発展を牽引するでしょう。
元記事: https://www.bisinfotech.com/infineon-launches-radiation-hardened-gan-driver-for-space/
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